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巨磁阻多圈位置感测器的磁体设计
 

【作者: ADI】2023年12月27日 星期三

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基於巨磁阻(GMR)感测技术的真正上电多圈感测器必将彻底改变工业和汽车用例中的位置感测市场,原因是相较於现有解决方案,其系统复杂性和维护要求更低。本文说明设计磁性系统时必须考虑的一些关键因素,以确保在要求严苛的应用中也能可靠运行;并且介绍一种磁性叁考设计,方便早期采用该技术。


多圈感测器本质上是将磁写入和电子读取记忆体与传统的磁性角度感测器相互结合,以提供高精度的绝对位置。在<具有真正上电能力与零功耗的多圈位置感测器(TPO)>文中描述的磁写入过程,需要使用特定的操作视窗来维持入射磁场。如果磁场过高或过低,可能会导致磁写入错误的出现。在设计系统磁体时必须小心仔细,并考虑可能干扰感测器的任何杂散磁场以及产品使用寿命内的机械公差。较小的杂散磁场可能会导致测量角度出现误差,而较大的杂散磁场可能会导致磁写入错误,进而引起总圈数错误。


磁性叁考设计目标
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