账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
高突波电流耐受量SiC萧特基二极体能大幅度改善运转时效
适合各种电源装置的PFC电路使用

【作者: ROHM】2016年06月28日 星期二

浏览人次:【11282】

近几年太阳能发电系统和产业用各种电源装置、电动汽车、家电等功率电子领域,为了能藉由提升功率转换效率,进而节能,市场需求效率更高、更好的功率元件。 SiC元件的材料物性比传统的Si元件还要好,已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置,电源上使用SiC-SBD产品,就能充分发挥该产品的高速回复特性,运用在PFC电路后,可望进一步提升装置的效率。而在上述用途之中,最重要的莫过于突波电流的耐受量了。ROHM半导体的SiC-SBD产品进一步扩大应用范围,采用了新的元件构造,成功研发出最低VF值的特性,同时又具高突波电流耐受量的产品。


图1
图1

ROHM半导体针对伺服器和高阶电脑等的电源PFC电路,研发出最适合的第3代SiC(Silicon Carbide:碳化矽)萧特基二极体(以下称为SiC-SBD)「SCS3系列」。本产品采用全新的构造,保持前代SiC-SBD最小顺向电压(VF=1.35V、摄氏25度),同时又可以确保高突波电流耐受量。如此一来,就能够运用在伺服器和高阶电脑等的电源PFC电路上,进而提升应用装置的效率。



图2
图2

图3
图3

技术特色

1.保有低VF特性又具高突波电流耐受量

此次研发的第3代SiC-SBD「SCS3系列」,为了能够实现高突波电流耐受量,特地采用了JBS(Junction Barrier schottky)构造。原有的产品已经采用可以提升突波电流耐受量,以及改善漏电流特性的构造,但ROHM半导体最新的第3代,则是在保留原有的特点之下,进一步改善第2代SiC- SBD的低VF特性,制造出性能更高的产品。



图4
图4

2.顺向最小电压(VF=1.35V/摄氏25度、1.44V/摄氏150度)

ROHM半导体在制造第2世代的SiC-SBD时,藉由改善制程和产品构造,做到了最小的顺向电压。本产品在高温环境之中,拥有比第2代产品更低的VF值,导通损耗更低、效率更高。



图5
图5

3.低漏电流特性

一般而言,降低顺向电压后反而会增加逆向漏电流,但ROHM半导体最新的第3代SiC-SBD,由于采用了JBS构造,能成功降低漏电流和顺向电压。本产品相较于第2代SiC-SBD,额定电压只有1/20左右(650V、Tj=150℃时),所以能有效降低漏电流。



图6
图6

图7
图7

本产品适合于个人电脑、伺服器、空调设备等应用装置的高阶电源装置内部PFC电路,除了针对TO-220ACP封装推出多款产品。此外,ROHM预计日后在TO-263AB(表面安装型)研发适合的产品。


相关文章
氮化??在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率
投身车电领域的入门课:IGBT和SiC功率模组
重视汽车应用市场 ST持续加速碳化矽扩产
SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸
以模型为基础的设计方式改善IC开发效率
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» ROHM推SOT23封装小型节能DC-DC转换器IC 助电源小型化
» ROHM推出世界最低耗电流运算放大器 助消费性电子和工控设备应用节能省电
» 亚湾2.0以智慧科技领航国际 加速产业加值升级
» ROHM推出一次侧LDO稳压器BD9xxM5-C系列新品
» ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83S9O19FCSTACUK6
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw