通常，为了寻求更宽敞的生活空间，人们必须搬离市区。尽管住在市区生活便利，邻近工作场所，但这些人更希望能够搬到房子更大、院子更宽敞的郊区住宅。同样地，当工程师需要使用大电流用于负载点(POL)设计时，他们通常会放弃使用简便的高密度转换器（搭配整合式MOSFET电晶体），转而利用较复杂加入控制器（外部MOSFET电晶体）的解决方案。控制器，与郊区环境类似，相对地来说，具有较高的弹性和经济效益，但会占据更大的土地空间─亦即更多的电路板空间。

图1 : 市区和郊区透过转换器或控制器来调节高电流电压有不同的效益

直至近期，电流超过10-15A的应用一般会仰赖搭配外部MOSFET电晶体的控制器。设计简易、物料清单(BOM)零件少、以及高可靠性的高密度解决方案的转换器，通常只能提供有限的电量。

网路路由器、开关、企业伺服器和嵌入式工业系统等应用的耗电量越来越高，它们的POL设计需要20A、30A、40A甚至更多电量。然而，这些应用有极大的空间限制，很难与采用控制器和外部MOSFET电晶体的解决方案相容。而问题在于，在一个需要大电流的应用中，该如何使用转换器而非控制器呢？

答案其实就在最新的MOSFET和封装技术的进展当中。新一代MOSFET电晶体，如德州仪器的NexFET电源MOSFET，在矽晶体内有较低的电阻率（Rdson），可进而提高电子流动的能力。透过PowerStack封装技术 堆叠积体电路（IC）和MOSFET电晶体─就像市区中密密麻麻的建筑，能够在特定的空间内容纳更多东西。

图2 : 控制器汇集成电路和MOSFET垂直堆叠在PowerStack封装中

PowerStack封装技术中矽晶圆堆叠和弹片焊接的独特组合，可使四方平面无引脚封装解决方案集成度更高，实现尺寸更小、热力表现更佳、比传统多层叠加MOSFET电晶体的解决方案有更高的电子流动能力。

透过先进的MOSFET电晶体和封装技术，德州仪器集成FET转换器的产品，可用于高功率和高密度的POL应用。 TPS548D22属于德州仪器高电流同步SWIFT DC/DC 降压转换器系列，可提供高达40A的连续电流，并采用40 管脚、5mm×7mm×1.5mm节省布线的QFN PowerStack封装技术。现在，那些不得不搬到郊区的人，可以开始考虑搬回市区了！