在這篇文章裡，imec氮化鎵電力電子研究計畫主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智慧功率晶片（IC）平台上，整合高性能蕭基二極體與空乏型高電子遷移率電晶體（HEMT）的成功案例。

該平台以p型氮化鎵（GaN）HEMT製成，並成功整合多個GaN元件，將能協助新一代晶片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發展。同時提供DC/DC轉換器與負載點（POL）轉換器所需的開發動能，進一步縮小元件尺寸與提高運作效率。

電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）
...
...