根据HIS调查报告预测,时至2025年使用SiC的需求将会增加26.3%,且较工厂及ICT产业,使用于新能源(PV inverter, EV charging, Grid等)及电动车(OBC, Inverter)的数量将会大幅成长。
随近年电动车及绿色能源的发展都逐渐崛起,低耗能、高效率及小型化都成了趋势,但传统Si制程元件却因受限其物理特性影响,难于其结构及构造做改善;罗姆半导体设计中心资深工程师苏建荣指出,针对这点,SiC及GaN便提供了非常好的解决方案。
图1 : 为何使用SiC与GaN。 (source:ROHM) |
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图2 : 罗姆的一贯化生产(source:ROHM) |
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罗姆从2000年开始研发SiC功率元件至今已有18年的历史,从2000年的2吋碳化矽晶圆,至今已研发到6吋,苏建荣指出,相较于其他碳化矽半导体公司,较特别的是罗姆有自己的晶圆厂,从生产晶圆到包装是一贯化生产制程。
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