半导体制程微缩已近尾声，尽管研究人员运用超薄SOI、high-k闸极电介质、双闸CMOS、三维FinFET等各种技术，一般认为硅晶CMOS将于2020年微缩至10至7奈米，便真正面临极限。

那么，2020年后的半导体产业将会是甚么样貌？除了盖18吋超大晶圆厂、发展3D IC技术外，还有甚么样的可能性？

图一 : 我们将能透过新材料来延续硅晶技术的未来，让这项进入人类文明不过40多年的技术像过去的石器与铜器时代一样，能够源远流长。

耶鲁大学电机工程教授及中央研究院院士马佐平博士(T. P. Ma)日前在台湾举行的Sematech年会上，介绍了研究人员试图以碳奈米管(CNT)、石墨烯、III-V族等新材料，做为延续硅晶CMOS未来发展的可行性。而选用这三种材料，主要是因为考虑它们具备更高的迁移率(mobility)特性。
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