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Microchip dsPIC33C 应用于SiC 及 GaN之参考设计
 

【作者: 陳建男】2020年10月26日 星期一

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随着5G、AI及物联网世代逐步来临,以及功率元件碳化矽(Silicon Carbide, SiC)、氮化镓(Gallium Nitride, GaN)技术成熟催化之下,高效率、低功耗和高功率密度电源设计需求势必日益普及。为符合市场需求,Microchip在16位元dsPIC33系列产品不断开发进步,从最早dsPIC33F单核心数位控制器,至今扩展到dsPIC33CK单核心与dsPIC33CH双核心数位控制器,为使用者提供多元化选择。乃至开发工具方面,Microchip提供Digital Power Development Board(DM330029),如(图一)所示,结合不同型号的Digital Power PIM,如(图二),可灵活的测试及评估Microchip全系列dsPIC33,加速熟悉dsPIC33与产品开发。



不仅如此,客户所引颈期盼,针对成熟的SiC和新兴的GaN等相关应用,Microchip也推出30kW Vienna 3-Phase Power Factor Correction(PFC)参考设计,除了采用Microchip高效能的SiC功率元件,并在2020年协同Efficient Power Conversion(EPC)和Transphorm合作伙伴分别开发1/16th Brick Power Module和Bridgeless Totem-Pole PFC,其相关介绍如下:
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