在这篇文章里，imec氮化??电力电子研究计画主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智慧功率晶片（IC）平台上，整合高性能萧基二极体与空乏型高电子迁移率电晶体（HEMT）的成功案例。

该平台以p型氮化??（GaN）HEMT制成，并成功整合多个GaN元件，将能协助新一代晶片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点（POL）转换器所需的开发动能，进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。

电力电子半导体的最隹解答：氮化??（GaN）
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