随着智慧型手机和媒体平板装置大量传输数据的应用趋势，行动DRAM（Mobile DRAM）的需求也为之水涨船高。同时，行动DRAM记忆体的发展样貌正在改变当中，LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1，成为行动DRAM的主流记忆体规格。但其他新兴技术急起直追的态势，也值得密切注意。

大厂重心转移 Mobile DRAM成长惊人

由于智慧型手机、数位相机、可携式媒体播放器、可携式游戏机、平板装置和其他消费电子产品的庞大驱动力，行动DRAM的出货量和记忆容量也不断攀升。苹果iPhone 4的行动DRAM容量已有512MB，而宏达电的Desire HD更达到768MB。而iPad的行动DRAM容量则有256MB，三星的Galaxy Tab也有512MB。根据市调机构Gartner预估，今年媒体平板装置平均行动DRAM容量为507MB，而智慧手机平均容量为279MB，明年可提高到392MB。iSuppli则是预估，今年Mobile DRAM的成长率将达到71％，出货量可达29亿GB，2015年此一数字更将突破205亿GB，比起2010年的17亿GB大幅成长12倍之多。

行动DRAM市场今年可望继续呈现活络的态势。 2010年全球DRAM市场规模为391亿美元，行动装置相关应用就占14％，达到55亿美元。目前包括三星、海力士、尔必达、美光、南科及华亚科、华邦、茂德等均投入行动DRAM领域。尔必达已将重心从标准型DRAM转向Mobile DRAM，后者营收已占整体DRAM营收50％以上；尔必达合作伙伴瑞晶今年第3季可望取得技转，首度量产Mobile DRAM，并导入30奈米制程。华邦则是锁定中低阶容量的虚拟SRAM产品区间，南科则已经推出Mobile LPDDR和LPDDR2样品。

LPDDR2后势看涨？效能和低功耗有待突破

不同于标准DRAM产品，行动DRAM更着重于降低功耗、减少散热以及缩小空间等关键功能和特性。行动DRAM是透过自动温度补偿自更新TCSR（Temperature Compensated Self Refresh）、记忆体阵列进行自更新PASR（Partial Array Self Refresh）和深度休眠DPD（Deep Power Down）等技术，来达到省电降低功耗的效果。行动DRAM并没有标准规格，主要包括低功耗DRAM和虚拟DRAM（Pseudo SRAM）。虚拟SRAM整合DRAM核心和SRAM介面，晶片内含refresh电路设计、与传统SRAM相容，可直接替代SRAM，容量更高、尺寸更轻薄、价格更便宜。

现在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演进。根据iSuppli预估，今年LPDDR2将成为在行动DRAM领域占主导地位的热门技术，预计在第2季之前，将可占行动DRAM市场40％的市占率。预计到第4季时，在媒体平板装置的带动下，LPDDR2可望超越LPDDR1，市占率将达58％。

LPDDR2的资料传输率可达8.5Gb/s，工作时脉可达1066MHz，相较于LPDDR1无疑是更为优秀的效能表现。三星最近就公布新款采用30奈米制程、工作时脉可达1066MHz、传输速率可达8GB/s的LPDDR2，功耗可降低25％、厚度只有0.8公厘，储存容量可达1～2GB等级，已在3月底量产。三星最新款LPDDR2将直接威胁其他竞争对手在智慧手机和媒体平板装置的生存空间。

尽管LPDDR2相对适用于手机和平板装置，但是功耗和传输频宽依旧是备受关注的核心。业界所希望的资料传输率要能达到12.8GB/s的水准，才能支援未来的智慧手机产品。 LPDDR2的工作时脉势必要更往上提升，但这对于LPDDR2来说，可行性并不高，效能已经面临天花板局限。此外在功耗上，LPDDR2也有尚待克服的挑战。 iSuppli举例指出，当系统在1.2V工作电压下运作时，相较于LPDDR1，LPDDR2在每单位资料传输可省下大约50％的功耗。不过未来当行动装置以10倍的单位资料传输运作时，LPDDR2所能省下的功耗就变得很少。

谁是取代LPDDR2的大赢家？

因此，其他可替代LPDDR2的新兴行动DRAM技术继续被市场所关注，这包括Rambus主抓的Mobile XDR；还有SPMT协会所主导、强调专利免费的SPMT（Serial Port Memory Technology）介面规格；以及Wide I /O、LPDDR3和DDR4等。推动SPMT介面的大厂包括三星、Silicon Image、安谋（ARM）、海力士、LG、迈威尔（Marvell）等。

这五大新兴技术都强调具备比LPDDR2更低的功耗特性，传输速率也几乎可达到12.8Gb/s的等级。除了Mobile XDR之外，其他新兴技术不用专利费用，3月初Toshiba已经取得Rambus长达5年的Mobile XDR专利授权。 Mobile XDR和SPMT短期内可进入商业化阶段，LPDDR3的规格则尚未底定，至于DDR4要到2013年才会有具体的成果出现，LPDDR3和DDR4都不能采用LPDDR2的内核，也与既有的记忆体测试流程不相容。

至于Wide I/O宣称可直接在矽晶层连结DRAM内核的特性。三星电子在3月初宣布采用50奈米技术开发出Wide I/O介面的行动DRAM样品，传输速率可达12.8Gb/s，功耗更可大幅降低87％，同时预计到2013年，三星可开发出20奈米制程、4GB封装容量的Wide I/O行动DRAM样品。 Mobile XDR和Wide I/O后来居上的气势，不容小觑。