作为常见的电脑主记忆体，动态随机存取记忆体（DRAM）现已发展出多元的标准，本文上篇已回顾了各种DRAM的特色，下篇则将进一步探讨3D结构发展下的DRAM类型，并分享爱美科的DRAM发展途径。

动态随机存取记忆体（dynamic random access memory；DRAM）的类型多元，包含本文上篇所提到的常规DDR、LPDDR、GDDR等，然而上述DRAM发展之时并没有3D革命。

藉由3D技术—我们这里指的是运用矽穿孔（through-silicon-vias；TSVs），也就是晶片内部的垂直内连导线，这些导线能透过晶片之间的微凸块（microbump）互连。运用多条尺寸极小的垂直内连导线，两个相互堆叠的晶片就可能可以进行资料传输，这使得全新的晶片设计和架构成为可能。
...
...