制程余裕较小的先进技术节点需要改进微影叠对的管制。基于光学量测目标的研发检测（DI）时的叠对管制在半导体制造中已经颇具规模。在目标设计和量测技术方面的进展，使叠对的精确度和准确度都得到了大幅提升。表示晶片内装置上蚀刻叠对的一种方法就是在最终检测（FI）时，使用扫描电子显微镜（SEM）进行测量。这种方法的劣势在于无法返工和叠对的层覆盖有限，这是由于缺乏透明及经营成本（CoO）较高。

本报告研究了一种混合方法，将不频繁测量的 DI/FI 偏差进行表征，且把其结果用于补偿频繁测量的 DI 叠对结果。这个偏差表征并不是频繁进行，可基于时间，或者由转变点触发。在按元件和按层的基础上，将DI 的光学目标叠对与 FI 的 SEM 的元件上的叠对进行比较，对两者的偏差表征结果进行验证并跟踪，用于补偿 DI APC 控制器。本文介绍 DI/FI 偏差表征结果和变化来源，并介绍对DI调整馈送 APC 系统的影响。本文回顾该方法在大批量制造（HVM）晶圆厂的实施详情，并在文章最后将讨论该研究的未来方向。
...
...