二氧化铪（HfO2）具铁电相（ferroelectric phase）的这项新发现，已再次引起半导体界对铁电材料记忆体的兴趣。具非挥发性且以二氧化铪为基础的铁电场效电晶体（ferroelectric field-effect transistor，FeFET）便是个例子，它展现了3D NAND记忆体类型储存应用和记忆体内运算（in-memory computing）的特性。爱美科技术总监Jan Van Houdt将解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。

铁电场效电晶体：具备记忆的电晶体
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