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沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻
协助工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化

【作者: ROHM】2015年08月14日 星期五

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ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗。此次研发的SiC-MOSFET计画将推出功率模组及离散式封装产品,目前已建立完备的功率模组产品的量产体制。


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