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微缩实力惊人 台积3奈米续沿用FinFET电晶体制程

不变动制程 维持最佳成本效益

台积电终于在今年第一季的法人说明会里,透露了其3奈米将采取的技术架构,而出乎大家意料的,他们将继续采取目前的「FinFET」电晶体技术。而这代表了台积电的制程微缩能力远超乎市场想像,3奈米仍不是其极限所在。


当制程下探,电路无可避免的会遭遇到控制的困难,产生如漏电、电压不稳定等的短通道效应(Short-channel Effects)。而为了有效抑制短通道效应,尽可能的增加电路的面积,提高电子流动的稳定性,就是半导体制造业者重要的考量,而鳍式电晶体(FinFET)架构就因此而生。


FinFET运用立体的结构,增加了电路闸极的接触面积,进而让电路更加稳定,同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。但这个立体结构的微缩也非无极限,一但走到了更低的制程之后,必定要转采其他的技术,否则摩尔定律就会就此打住。
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