自1999年开始明碁、大霸、致福加入手机代工市场，2000年又加入华山、英业达、兴门、华冠、仁宝、大众、广达等厂商，预估2000年产量可达1660万支，产值也从55亿跃升为387亿。手机市场快速成长，国际大厂为维持市场占有率，将产能释出代工是一条必走的路，如Motorola放出代工订单加强IC元件、Qualcomm将手机制造部门卖给Kyocera，对国内厂商来说可是一个相当好的机会。

手机所用到的零组件种类繁杂，关键零组件包括收发开关（T/R Switch）、功率放大器、电压谐振器（VCO）、SAW Filter、高频锁相环路（PLL）IC及高频用被动元件等。通讯产业制造体系与资讯产业不同，不同系统需要不同的零组件规格，因此必须上中下游共同存在，如此通讯产业才能建立成功。全球手机制造商及零组件厂商关系相当密切，零组件厂商供货以手机大厂为优先对象，由于国内零组件自给率相当低，若零组件缺货将受手机大厂挤压致使零组件无法取得，因此台湾欲成为全球手机制造重镇，掌握零组件为首要条件。

由于关键零组件技术均掌握在外商手中，外商目前仍未有释出技术意愿，因此国内手机零组件技术之取得相当辛苦，但由于下游产业已大幅投资设厂，上游零组件也需要积极推动，否则国内手机产业将难以和先进国家竞争。

加速通讯产业成长需先建立手机零组件产业

由于手机的价格逐渐降低，成本必须精简才有竞争力，加上市场成长高于预期，大厂产能扩增不及，手机大厂为维持市场占有率，将产能释出代工是一条必走的路。由于市场成长加上手机上网、收发电子邮件等功能的提升促使每部手机零组件的数量大幅增加，从1999年开始应用于手机的SRAM、Flash、LCD驱动IC、SAW Filter、MLCC等零组件缺货情况相当严重，国内手机厂商由于取得零组件不易(表一)，手机出货量大受影响，因此稳定掌握零组件来源手机产业才能生根。

《表一 国内通讯产业结构》 - BigPic:684x325

目前日本在手机零组件技术具有优势，也形成一个结构完整的产业体系，不论是LCD面板、LCD驱动IC、PCB、快闪记忆体及各种重要功能性零组件的发展皆相当完整，可做为国内发展手机产业的参考。未来国内的手机产业若要继资讯产业之后，成为具世界级地位的产出国，必须建立完整的产业部落，如此下游手机组装产业发展才能稳固。

目前国内生产能力相当强的产品包括小尺寸LCD、PCB、作为LCD背光模组的LED、连接器、Receiver及按键等，这些产业的特色皆是进入门槛较低、占手机成本不高、国内相关产业技术成熟，因此未来在全球供应链将扮演相当重要脚色。关键零组件包括IC元件、SAW Filter等功能元件由于技术较高，全球可供应者不多，国内才刚起步因此未来市场成长空间很大。随着手机功能的提升、多样化，全球手机需求量也大幅成长(表二)，未来各种零组件产值将相当可观。

《表二 各厂商或研究机构对全球移动电话需求预测》 - BigPic:622x139

剖析手机零组件架构寻求潜力股

手机的重量从1992年的200公克降到目前的65公克，足足减少近三分之二，为降低成本及符合手机轻、薄、短、小的设计要求，手机零组件数量必须逐渐减少才有可能，且为了加速产业分工结构建立，手机零组件往模组化发展是未来的趋势。本文将手机零组件区分为IC元件、功能元件、被动元件、光电元件、机构元件及其他零件等几个族群，目前以IC元件、功能元件产值较高且缺货较严重，国内需求量完全仰赖进口。光电元件、机构元件及其他零件国产品已可打进国际市场，未来发展速度较快。

由于手机朝多频多模发展，加上每家厂商所推出手机设计皆不同，负责在收讯与发讯间切换的RF切换器（Switch）、LPF、联结器（Coupler）、频通滤波器（Band Pass Filter;BPF）、平衡/不平衡变换器（Balun）等零件使用量每支手机皆不同。加上石英振荡器、表面声波滤波器（SAW Filter）、诱电体滤波器、陶瓷滤波器、天线共用器、阻隔器（Isolator）、电感、IF模组等各种零件都朝模组化发展，因此确实预估手机零组件结构及成本有所困难，(表三)以GSM双频手机为例，概略估算并详述于后。

《表三 手机零组件结构及成本预估》 - BigPic:689x439

IC元件产业渐趋完整

Dataquest对1999～2004年IC市场的前景相当乐观，预估成长最快的是通讯应用市场，平均复合年成长率为15.8％，高于PC应用市场的11.6％。且预估在2004年全球手机生产量将达到10亿支，1999～2004年的复合年成长率为28.2％。手机零组件众多，其中IC元件成本最高，因此成为国际大厂必争之地。国内IC产业除了晶圆代工与DRAM外只有低阶的消费性IC市场，由于技术难度较高及起步较晚，国内手机IC元件产业与日、韩差距颇大。国内系统厂商在OEM时期大都使用原厂指定的IC，但到了ODM阶段时只要台湾生产的IC品质没有问题，国内厂商将有很好的机会。

藉由手机下游产业的蓬勃发展，国内厂商正全力向上发展手机IC元件领域，包括SRAM/Flash、无线通讯IC设计、砷化镓（GaAs）磊晶片、砷化镓晶圆代工、封装及测试等产品，为台湾未来在庞大的无线通讯市场中，建立完整的通讯IC产业(表四)。

《表四 国内通讯IC产业结构》 - BigPic:680x84

目前国内已有多家厂商投入通讯IC设计产业，和茂科技为国内第一家投入无线通讯IC，目前已经积极开发正缺货中的功率放大器（PA），2000年就能提供手机的客户验证，其他重要元件包括高频锁相回路（PLL）IC，推出已超过半年，打破过去一直为日、韩厂商所独占的国内市场。

砷化镓磊晶片已量产厂商包括博达科技、全新，国联也即将推出。砷化镓晶圆代工的厂商包括位于南科的全讯、宏捷、竹科的汉威、和茂。其中宏捷已量产4吋GaAs HBT晶片，为继美国科胜讯（Conexant）及RFMD两家厂商后，全球第三家可提供砷化镓晶圆的厂商。

封装测试（含设备）方面，国碁已经有能力进行MCM（Multi-Chip Module）封装，而华治、麦瑟也已积极投入。国碁现有功率放大器（PA）月产量约为100多万个，而手机上另一重要元件－电压控制石英震荡器（VCO），国碁现虽已开发完成，但VCO需要的样式较多且复杂，因此暂不推出。国内最早投入测试的业者为宇通，许多测试业者也都积极准备切入，其中京元电子目前已经握有订单，预料到2001年市场将会有明显的成长，安捷伦科技则提供IC测试设备。

IC元件市场最为可观

手机迈向第三代数位系统及网路存取趋势，将大幅增加相关IC的需求量，据估计手机用IC市场99年约4200亿台币，预估2000年达5400亿台币。手机的主要IC元件构造可分成射频（Radio Frequency）、中频（Intermediate Frequency）及基频（Baseband），其功能及重要元件如(表五)所述：

《表五 移动电话的主要IC组件构造》 - BigPic:674x130

国内功率放大器（PA）已具基础

手机RF部分最难取得且最昂贵的关键零组件为功率放大器（PA），PA多为国外厂商掌控，PA材料包括BiCMOS矽晶圆、砷化镓（GaAs）、矽锗（SiGe）、磷化铟镓（InGaP）等产品，过去手机采用Discrete Bipolar功率放大模组，因为它需要50个以上的零组件，操作电压及能量消耗均无法有效降低。当电池微型化并由5V转向3V电压以下，而系统由GSM逐渐转向CDMA时，低操作电压、及高操作频率的要求显得相当重要。

目前PA主要材料矽元件的成本较低，由于电子在砷化镓中的速度比在矽中高五倍，砷化镓元件的工作速度远高于矽元件，而在相同的工作速度下，砷化镓元件亦比矽元件消耗较少能量，因此待机及通话时间较久。尤其在高频领域因矽晶片中的寄生效应（Parasitic Effect）所造成的衰减，砷化镓晶片较无此困扰，因此在高频、低耗能之射频应用领域中，砷化镓半导体技术已逐渐取代矽半导体技术。

未来Bipolar、CMOS可用来生产大哥大里面频率比较低的元件，至于高频的功率放大器，关乎手机的电池使用时间，砷化镓元件可达到功率消耗较小的目的。在今年Q1功率放大器采用矽元件及砷化镓比例约2：1，未来应可改调整为1：2。

砷化镓元件技术的发展由早期的MESFET，逐渐移转至HBT、HEMT及PHEMT，以期在高频区域可提供较高的运作效率。砷化镓将来的成长及竞争力完全取决于价格和品质，从技术发展趋势来看现有的HBT、MESFET和PHEMT等3种制程技术中，还是以HBT最被看好，可望成为主流。 HBT有很多技术特性，价格也较低，良率更可达80％以上，竞争力居于领先地位。

国内砷化镓上游产业除了博达及全新外，砷化镓晶圆代工厂宏捷及汉威也是手机IC产业中相当重要的一员。目前全球只有宏捷和美国TRW技术移转的RFMD，以及由Rockwell衍生的Conexant等3家有砷化镓晶圆量产能力，提供市场80％的需求量。

宏捷目前每周生产200片4吋砷化镓HBT晶片，正陆续通过客户的品质认证，同时开始规划在南科园区扩建6吋砷化镓HBT晶片代工厂，完工后产能将倍增到每周1200片，同时将与美国的Dynalinear科技进行策略性技术合作，并移转功率放大器的设计能力，开始进行数位式行动电话功率放大器模组制作，长期发展目标则是针对GSM、CDMA及W-CDMA等不同的无线通讯系统，开始制造及设计RF功率放大器模组，同时量产MMIC模组。汉威则自行开发出HBT功率放大器，现已进入投片测试阶段。

IC元件整合使得厂商面临竞争压力

为降低成本并提升功能，各类型IC必须进行整合以减少用量，部分元件将整合低杂讯扩大器(LNA)、混合器、编／解码器、数位基频及类比基频的功率管理等功能。目前厂商所采取的方式包括依制程特性的不同，而将RF的前端部份和PA利用砷化镓技术整合成一颗，其余RF／IF的元件则采取BiCMOS的技术整合成一颗；基频由于只有少数几颗类比IC，因CMOS制程相同更易于进行整合。

已有成果的大厂包括IBM计划于2001年推出整合矽锗低杂讯扩大器（LNA）、电压控制震荡器（VCO）与功率扩大器（PA）等产品的单一晶片。估计未来一部手机的IC数量在2002年时将只需6颗左右(表六)。由于国内厂商刚进入IC元件产业，如脚步太慢则当元件整合趋势已成，未来再踏入此市场将更加艰困。 （待续）

《表六 手机的IC使用量》 - BigPic:676x78