最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（E_oss）降低了多达50%，漏源电荷（Q_oss）和闸极电荷（Q_g）均减少了多达 60%。凭藉这些特性，新元件在硬切换和软切换应用中都具有出色的效率。与传统的半导体技术相比，其功率损耗大幅降低，根据具体使用情况可降低 20%-60%。

图一 : 预测到2029年，GaN功率市场规模将达到20亿美元

该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、资料中心、电信整流器等消费和工业交换式电源（SMPS）、再生能源，以及家用电器中的马达驱动器。