|
解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战 |
【作者: 愛美科】2019年06月11日 星期二
|
|
浏览人次:【9726】
文/爱美科;编译/丘燕
源/汲极接触电阻:先进矽CMOS的技术瓶颈
源极/汲极是电晶体的接触电极,用来引入与移除载子(carriers)于电晶体的传导通道。传统的CMOS技术,利用金属导体(MS)接触特性,在金属侧具有过渡金属矽化物(例如镍矽化物),得以形成源极/汲极的接触电子。另一种普遍方式,是利用自对准矽化物制程,称为SALICIDE,让矽化物覆盖在整个源/汲极表面。 ... ...
另一名雇主 |
限られたニュース |
文章閱讀限制 |
出版品優惠 |
一般訪客 |
10/ごとに 30 日間 |
5//ごとに 30 日間 |
付费下载 |
VIP会员 |
无限制 |
20/ごとに 30 日間 |
付费下载 |
|
|
|
|
|
|