分类/型态：元件

物主/业主：SK海力士

物品编号：321层SSD

发表日期：2023.08

图一 : SK海力士「321层NAND快闪记忆体晶片」

各位观众大家好，欢迎收看新东西。本次要介绍的产品，是来自SK海力士（SK Hynix）最新的一项记忆体产品，它就是目前全球最高层树的「321层NAND快闪记忆体」。近几年，主要的记忆体制造商都不断地在堆叠层数上做竞争，而SK海力士这款产品是率先突破300层的记忆体，是当今最领先的技术。

我们都知道，近几年在多层NAND快闪记忆体技术上，不管是在层数方面，或者是量产时程方面，都是由美光（Micron）一直独秀。尽管如此，其他的记忆体厂也都持续地在追赶，并试图超车美光。因为在当前的装置应用中，想要在不增加太多体积的前提之下，要大幅提升容量，只有从微缩和堆叠下手。但权衡两者，堆叠则是效益最高的投资，因此记忆体厂商们也不断在此专研。

而SK海力士这次能够率先突破300层的堆叠，主要便是得力於他们独家的「4D NAND」技术。这个技术是在2022年发表，并已用於他们正在量产的238层记忆体之中。而一年过後，他们已将层数大幅提升至321层，成为业界的领先者。

所以我们应该先来了解一下SK海力士的「4D NAND」技术到底是什麽？

事实上，在2022年之前，SK海力士也采行业界常用的「3D」结构，也就是储存单元的垂直堆叠。以密度随着堆层数的增加而提高，藉此让储存容量提升。但随着层数的增加，SK海力士意识到，现行的电路架构并不利於层数的增加，因此开始着手发展新型的电路架构。於是所谓的「4D NAND」便由此而生。

4D NAND 最大的特色就是采行「Peri Under Cell；PUC」技术，这项技术是将过去放置在储存单元旁边的周边电路，转移至了储存单元之下，藉以减少晶元占用的空间，同时也让结构更为简洁。

图二 : SK海力士的记忆体技术演进示意图

除此之外，SK海力士的4D NAND产品还采用了「Sideway Source」和「Charge Trap Flash；CTF）两大核心技术。其中Sideway Source是一种以水平方式连接源级的技术，而CTF是指将电荷储存在电荷捕获型快闪记忆体中。

从结构来看，SK海力士的4D NAND其实很像美光的CuA（CMOS-under-array） 架构，都是把控制电路放到了储存单元之下。所以应该是英雄所见略同，而SK海力士为了让产品有不同的识别，所以取名为「4D」。

至於最新的这一款321层4D NAND 记忆体到底有什麽不同之处，首先，第一个当然就是容量的部分，由於层数上的大幅增加，所以一颗321层的NAND晶片的容量已达到惊人的1TB（TLC规格），比上一代238层512 GB，提高了59%。所以一条M.2 SSD的储存容量就可以达到4TB。

而这个容量的提升，刚好可以因应目前ChatGPT此类生成型AI所引发的市场需求，为了要储存更多资料，寻求更高容量的记忆体也就变得理所当然。再加以5G与Wi-Fi 6E等新一代高速无线网路的陆续普及，高速、大容量的储存产品也将会变成运算市场的标准配备。

CTIMES 五项评比人文科技指标：★★★

名称：SK海力士「321层NAND快闪记忆体」

评比：

1.创新指标：5

2.精进品质：4

3.环保意识：3

4.人文关怀：3

5.服务评价：1

编辑评语

SK海力士这款321层NADA快闪记忆体的率先发表，无疑是为南韩的记忆体制程技术抢回了一次颜面，在世界领先的位置上，暂时不再是美系的厂商。而这款产品的发表，再次改写了单一晶片最高储存容量的纪录，也把装置的资料储存容量向上推升了一个等级。比较可惜的是，除了容量之外，我们尚不知其他的性能规格，包含功耗与速度等，仍待进一步的资料公开。

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