SSD讀寫次數受限

隨著半導體製程不斷進步，單顆NAND Flash儲存容量也因此提升許多，從以往256MB到現在16GB，市場單價不斷降低也有助於擴展市場應用的接受度。以電子儲存為基礎的固態硬碟SSD和記憶體模組設計，結合控制IC和NAND Flash，利用傳統區塊寫入抹除方式並仰賴讀寫存取的設計效能，具備低耗電、重量輕、尺寸小、無噪音、耐震、開機速度快等特性優勢。

不過NAND Flash本身的電子閘在讀取次數越高的情況下越不穩定，且NAND Flash寫入前必先全部抹除、即使是寫入1bit也要全部抹除的特性，連帶使得SSD讀寫次數有所侷限。整體而言，SSD寫入速度不若讀取速度，也是影響SSD使用感受的問題。目前SLC架構的SSD讀寫次數可達10萬次左右，一般為3～5萬次；而MLC SSD則在5000～1萬次左右。儘管MLC SSD架構卻因其特性可大幅擴充儲存容量，價格也較低，常應用於各類消費電子產品。不過MLC顆粒特性卻會帶來寫入次數少、寫入速度慢、可靠穩定度較差、壽命較短等問題。克服MLC架構缺憾對於提升SSD應用普及度而言，相當重要。
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