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SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估
 

【作者: 意法半導體】   2020年08月18日 星期二

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本文探討如何在雪崩運作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率轉換器,特別是電動汽車驅動馬達功率轉換器,需要能夠耐受以前的運作條件。元件在續流導通期間出現的失效或閘極驅動命令訊號錯誤,確實會致使轉換器功率開關二極體在雪崩條件下運作。因此,本文透過模擬雪崩事件,進行非鉗位元感性負載開關測試,並使用不同的SiC MOSFET元件,依照不同的測試條件,評估技術的失效能量和魯棒性。


引言

效能和可靠性是所有電子功率轉換器必備的主要特性。在與人類社會活動和生態環境保護相關的應用領域,例如,交通、工業、能源轉換等,標準矽基功率開關已被SiC MOSFET取代,因為 SiC MOSFET在電流密度/晶片面積、擊穿電壓、開關頻率、工作溫度方面表現更出色,可縮減功率轉換器的體積和尺寸,同時提升效能[1],[2]。
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