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QMEMS打造高性能Photo AT元件
 

【作者: 林志遠】   2011年10月13日 星期四

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傳統製程面臨加工瓶頸

石英晶體所具備的壓電效應,讓它可以透過晶體變形和振動來控制發生頻率的快慢,並可產生循環的晶體振盪,對外提供電子系統所需的參考頻率。做為頻率參考的基準,石英晶體被要求提供高度的穩定性,而這個穩定性主要由切割角度、厚度及晶體Q值等參數決定。


在傳統製程上是靠切割、研磨等方式的來製作石英晶體,這種機械加工的方式,即使再精密也有其限制,因此出廠前的石英晶片往往還得運用雷射來切削最關鍵的電極形狀,透過精微調校來控制控制品質。除了一致性不易達到外,面對薄型化和小型化的需求,機械加工製程也顯得力有未逮。


針對行動寬頻的蓬勃發展,石英晶體的薄型化可提供更高的振盪頻率,而小型化則能滿足行動裝置要求輕巧的設計目標。不過,傳統製程方式已到達薄型切割的極限,雖可做得到小型化要求,但卻又遭遇到晶體阻抗(Crystal Impedance, CI值)增大而造成的振盪穩定性下降。


我們發現,半導體業的製程技術及微機電(MEMS)的技術,都足以引進石英製程中,為上述的問題提出解決途徑。透過對石英晶體進行光微影蝕刻製程,可以實現晶片形狀的均一性,從而解決過去個別石英晶體CI值、頻率精準度不一致的問題。此外,QMEMS製程也能做出薄型化及更複雜的晶體成形結構,以達到高頻振盪或增加電極面積來降低CI值的目標。


AT型石英晶體的微型化挑戰

目前我們運用QMEMS製程來生產的石英晶體元件包括音叉型晶體(Tuning-fork crystal)、Photo AT、TCXO/SPXO、基本波振盪(High Frequency Fundamental, HFF)晶體及陀螺儀感測元件(Gyro sensor)。


所謂AT型(AT-Cut)石英晶體即是採用AT角度切割(對石英晶棒Z軸向旋轉約35度)的石英晶片,當施與電壓時,其振盪片的上下平面會產生相反方向的振盪(屬於厚度變形振盪),能產生數MHz到數百MHz的頻率,而這個頻率範圍的應用領域相當廣。


《圖一  AT型晶體即是對石英晶棒Z軸向旋轉約35度	》
《圖一 AT型晶體即是對石英晶棒Z軸向旋轉約35度 》

目前AT型晶體的應用主要是介於12 MHz到80 MHz之間。此頻率範圍主要由晶片的厚度來決定:晶片愈薄、頻率愈高;晶片愈厚、頻率愈低。對AT型晶體來說,薄型化的高頻晶片還比較容易實現,加厚的低頻晶片反而不易達成。主要的限制是當晶片厚度變大時,阻抗會升高,不易控制低頻的輸出。


隨著小型化的發展,傳統磨斜邊(Beveling)的加工製程面臨橢圓形晶片形狀控制不易的問題,這也嚴重影響到晶體的穩定性。相較之下,採用QMEMS製程生產MESA結構的Photo AT,則可在微型條件下將振盪部(vibration part)和承接部(holding part)明顯地分開,以降低因依附造成的應力影響。光蝕刻製程能對晶片尺寸精確掌控,使得每個石英晶片的特性都能達到非常穩定的一致性,而且對材料的損耗也低。此外,透過光蝕刻來形成電極,也可避免傳統濺鍍製程造成的銅污染問題。


《圖二  採用QMEMS製程生產MESA結構的Photo AT石英晶片	》
《圖二 採用QMEMS製程生產MESA結構的Photo AT石英晶片 》

打造高品質Photo AT

怎麼才能生產出高品質的AT型石英晶體呢?影響AT型石英晶體特性有兩大主要因素,一是頻率對溫度特性,一是等效電路參數。所謂頻率對溫度特性,就是石英晶體會隨溫度變化會出現頻率偏差的現象。石英頻率會隨溫度變化而改變,這是因為石英材料在各個座標軸向的熱膨脹係數不同,當溫度改變時,各軸向晶格距會產生些許變化,造成頻率的偏移。


雖然不同型態的晶態會有不同的頻率對溫度特性,但在定義上會以室溫25℃為相對零點。相較於其他為二次曲線(即拋物線)的切割方式,AT Cut的頻率對溫度特性為三次曲線,能夠在人類環境的溫度範圍內(25℃上下)具有較佳的溫度特性,溫度特性的管理也比較容易。


會影響AT型晶體溫度特性的原因很多,包括:(1)切割角度;(2)石英晶片厚度;(3)電極的配置一致性;(4)電極的厚度;(5)晶片大小;(6)支撐應力。影響等效電路參數的原因,則包括:(1)電極的配置一致性;(2)石英晶片厚度;(3)電極尺寸的變異。透過QMEMS的光蝕刻製程,則有助於改善電極配置一致性和變異的問題,如此一來,溫度特性能夠更為穩定;透過精準的控制電極尺寸,等效電路參數的變異也會降低。


整體來看,影響石英晶體特性變異的因素,包括頻率的穩定性和溫度特性、電極配置、等效電路參數和敏感度等,透過QMEMS製程生產的Photo AT產品,不論在晶片尺寸與形狀,或電極的尺寸與配置上,都能獲得更精準的控制,進而改善這些變異情況的發生。此外,也能設計更大的電極面積,這對敏感度(sensitivity)的提升很有幫助。


石英振盪器的最佳選擇

AT型晶體在今日的通訊設備中運用極廣,使用它來為特定系統提供穩定的參考頻率,有兩種作法,一是配置振盪電路,一是選用主動式的石英振盪器。多數技術成熟或產量大的系統會採用石英晶體加振盪電路的作法;一些設計初期、少量上市或技術規格未成熟的產品,則會採用石英振盪器。


採用振盪電路的設計,必須在石英晶體與振盪電路之間取得最佳的設計匹配,才能得到可靠的參考頻率輸出。如果兩者之間的匹配度不佳,可能造成各種問題,例如無法起振、頻率誤差太大而不符需求,或是頻率不穩定的現象;此外,輸出頻率也可能因電源電壓或溫度的變化改變誤差範圍,或造成振盪動作的停止。


至於石英振盪器的作法,因只需供電即可提供穩定的頻率,不需再做迴路分析或最佳化的調整,因此可以有效縮短開發時間。這類的振盪器有多種類型,包括SPXO、VCXO、TCXO、OCXO等,分別可以滿足產品對高精度、彈性、低EMI或高頻的個別需求。


所謂石英振盪器,即是將石英晶體與負責驅動的振盪電路或IC晶片整合安裝在同一個陶瓷基材的封裝內,再透過焊接方式,在上方以金屬製外蓋(Lid)密封而成。此類振盪器具備待機功能,可透過控制端子來停止內部的迴路動作及振盪輸出。在對石英振盪器內部的石英晶體的選擇上,新式的Photo AT擁有比傳統AT型晶體更多的優勢。


首先,AT型晶體有兩個重要參數,一是動態電容C1,一是並聯電容C0,由於Photo AT能降低這兩者的變異狀況,因此不需對頻率做太大的調整,而且頻率調整的速度加快;加上頻率對溫度特性更穩定,這意味著更佳的頻率穩定性,以及更高的準確性;相較於同尺寸的傳統晶片,Photo AT能獲得較大的C1、較小的L1,這有助於改善起振時間,更廣的頻率調整能力則能獲得更大的敏感度。


這些特性對於IC晶片的設計來說,可以降低內部的電容陣列、記憶體及DAC的需求,設計上也更為容易。此外,石英振盪器內IC晶片,可以運用DAC元件來對石英晶體的溫度特性進行補償,也就是高/低於25℃的偏高及偏低的頻率向中間拉。這就是TCXO的工作原理,而這樣做時,石英元件的溫度特性曲線、溫度參數和調整敏感度會是影響溫度補償功能的重要因素。如果這些因素的變異性能夠降低,振盪電路之頻率穩定性對溫度的變異也會獲得改善。



《圖三  採用Photo AT的石英振盪器,其內部電容陣列需求可以降低》
《圖三 採用Photo AT的石英振盪器,其內部電容陣列需求可以降低》

《圖四  石英振盪器內IC晶片,可以運用DAC元件來對石英晶體的溫度特性進行補償》
《圖四 石英振盪器內IC晶片,可以運用DAC元件來對石英晶體的溫度特性進行補償》

結論

從本文的分析中可以得知,透過QMEMS的光蝕刻製程,可以獲得性能一致性更佳、更精細的結構設計,以及實現微型化及薄型化的要求等優勢。以Photo AT來說,因其晶片尺寸、形狀及電極的設計都比傳統AT型晶體更為精準,使得其頻率對溫度特性更為穩定,等效電路參數的變異也縮小。這些優勢也讓Photo AT成為石英振盪器內部的石英晶體振盪源的最佳選擇。


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