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深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET
實現更高功率密度的方法

【作者: SG Yoon;Arthur Black】   2013年10月07日 星期一

瀏覽人次:【11350】

在電源方面,找到一種提高功率密度的方法(即單位體積內產生更高功率)可實現許多關鍵設計優勢,包括更小尺寸、更輕重量、更高效率以及更低物料成本。毋庸置疑,許多設計者選擇電源元件時,將功率密度視為最重要的指標之一 。


在典型的動力系統中,設計者通常期望能改善功率密度之處就是Power MOSFET。近年來,半導體公司在這些元件的功率密度方面做出了極大地改進,但設計者們仍試圖繼續改善已存在的問題。


近期設計的新元件-快捷 FDPC8011S power clip 33 非對稱 dual MOSFET表明仍有方法可以極大地改進功率密度。本文論述了 power clip 33 設計團隊研究於更小封裝內實現更高效能的設計思路。
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