在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）和行動通訊的快速發展下，為了滿足對晶片高效能、低功耗和更小尺寸的需求，製程技術正飛速演進，並逼近物理極限。隨著晶片以3D封裝技術不斷堆疊層數，故障分析的複雜度也與日俱增。

面對高度微縮的晶片，有時必須靈活運用多種故障分析機台，方能找出失效點。

舉例而言，當晶片出現故障，以電性故障分析（Electrical Failure Analysis；EFA）發現明顯的亮點，但後續利用電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope；SEM）一路觀察到底層，卻仍看不到異常，這種情況常讓研發工程師們陷入窘境。
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