IBM在奈米光電（nanophotonics）技術上又有重大的突破！以既有的CMOS製程為基礎，IBM公佈了可用光脈衝加速資料傳輸的矽奈米光電（CMOS Integrated Silicon Nanophotonics；CISN）技術、以及首先應用的光學收發器樣品。這個光學收發器模組將光調變器、光波導元件、波長多工器、光交換器和光偵測元件，整合在單一CMOS晶片中，預計在2011年可進入商業化階段。

不久的將來，這項技術將可全面取代目前晶片之間傳輸容量較低的銅線設計，讓晶片與晶片的傳輸速率突破百萬兆次（million trillion；exaflop）數學運算等級，進而提高超級電腦的運算能力達1000倍以上，百萬兆級系統（exascale system）已經不是夢！

IBM奈米光電技術大突破！

IBM開發奈米光電技術已經有一段時間。CISN技術最大的突破在於，可以既有CMOS製程和標準矽晶片生產線來落實，並不需要其他額外的設計工具或製程，突破了矽光（silicon photonics）元件技術的瓶頸，並大幅降低矽光模組的成本價格，更加速了奈米光電技術的商業化進程。

以往的光學元件多半是採用砷化鎵或是磷化銦等材料，矽材料雖然是價格較低廉的另外選擇，不過往往會產生光傳輸效能不彰的問題，特別是在射極元件部份，因此射極元件多半採用三五族化合物材料。這也是為什麼，IBM推出CISN技術為基礎的光學收發器樣品中，矽材料的射極元件尚未整合在內的原因。不過CISN技術已經可以將大部分光學元件轉換為矽材料和CMOS晶圓製程，就是相當重要的突破。

目前IBM所展示的樣品是採用130奈米CMOS製程，不過IBM期待不久後便能進入100奈米以下的CMOS製程階段。這是IBM在CISN製程技術的另一項突破，把鍺（germanium）層埋在CMOS堆疊層的底部。IBM宣稱這樣的設計可讓晶片尺寸縮減到1/10，讓65奈米CMOS製程晶片上的奈米光電元件尺寸，進一步縮小到1公釐平方面積的一半而已。

對於CISN技術的應用發展藍圖，IBM規劃先從伺服器和超級電腦之間的傳輸開始，按部就班地過渡到同一系統內板子之間的傳輸階段，然後進入到同一基板內晶片之間的傳輸階段。更為長期的目標規劃，是把CISN技術滲透到電晶體內部之間也採用奈米光電技術的最終階段。

百萬兆級運算不是夢！

藉由提高光電傳輸頻寬和電晶體整合密度，IBM預估這項CISN技術為基礎的CMOS矽光元件，10年內可讓超級電腦進入百萬兆級運算（exascale computing）等級。目前運算能力最快的超級電腦，數學運算速度在每秒2000兆次（2 petaflops；2000 trillion）等級。現在的超級電腦雖然已經採用光學技術作為晶片之間傳輸的基礎，不過傳輸速度只能在rack-level階段，且只能藉由單一光波長來傳輸。IBM的矽光模組可採取多通道設計，整合於單一基板上，支援多個同時並行的光波長傳輸。

未來以CISN技術為基礎所設計的矽光元件，可將電子和光學收發模組整合在單一晶片上，取代傳輸容量較低的銅線，讓CMOS電晶體所產生的電子訊號，轉換成光的脈衝，進而大幅加速晶片之間的傳輸速度。

其他競爭對手持續緊追

除了IBM之外，英特爾和Luxtera也同樣正在開發矽奈米光電技術的微型化製程。其實，Luxtera已經先開發出矽光元件收發器，可藉由4個多通道，個別傳輸每秒100億位元、也就是10Gb的資料量，Luxtera也公佈了每通道可傳輸25Gb資料量的矽光元件收發器設計。Luxtera認為，採用傳統的光學材料，也是可以達到技術上和成本上的優勢，相關產品也即將進入商業化階段。

另一方面，英特爾也公佈自己整合光學和雷射元件的光收發器樣品，同樣是採用4通道設計，個別通道每秒傳輸速率為12.5Gb/s。不過這項技術仍處於實驗室階段，英特爾還沒有公佈商業化進程時間表。英特爾的光收發器雖是以矽材料為基礎，但也有添加磷化銦材料在內。