場效電晶體FET採用的LDMOS技術已經逐漸成為高功率射頻應用的主流技術，特別是在行動通訊系統基地台中所使用的功率放大器上，高達65V甚至更高的崩潰電壓使得LDMOS FET能夠在以28V電源運作時維持穩定與可靠度，這篇文章將介紹這類FET元件的特性，並提供幾種取得最佳效能的偏壓方式。

《圖一 LDMOS架構》

LDMOS特性

橫向擴散金氧半導體LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductors） FET結構為在P型態半導體基體上形成N+源極以及汲極區的三端子元件，請參考(圖一)，採用橫向擴散、低阻值的P+吸入區將源極區與P+基體以及源極接點連接，這樣的組態讓基體可以直接與射頻接地焊接，因此能夠將接線寄生效應的影響降到最低。
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