CTIMES / 文章 / 由NOR Flash大廠發展看台灣廠商決勝機會   【作者： 高禕璟】   2004年04月05日 星期一 瀏覽人次：【9569】 在強調多媒體影音的高階手機陸續推出後，持續發展高容量的Flash方能跟上手機市場的腳步。NOR Flash在手持市場遭遇NAND Flash以MCP架構侵蝕，因此各廠商無不奮力提高容量，以拉近和NAND Flash每單位位元成本來對抗。2005年時台灣廠商在NOR Flash的佈局成果將會浮現，Flash產業將會在台灣半導體產業裡佔有舉足輕重的影響力。然而，也由於眾多廠商進入NOR Flash市場，是否會在2005年時呈現類DRAM化，將是另一個令人省思的議題。 表一　台灣廠商發展NOR Flash動態   產品 量產時程 預定容量 製程技術 12吋廠計畫 旺宏 DINOR JaffaFlash 2004/Q4 未定 128Mb 128Mb 0.13μm 0.15μm 未定 華邦 ACT1 Winstack 2004/Q4 2004/Q2 128Mb 32Mb 0.175μm 0.175μm 2004/H2於中科動工 力晶 SuperFlash 2005 2Gb 0.11μm 第二座12吋廠於2003/Q3加入量產兩座12吋廠合計將有1/3產能投入Flash 茂德茂矽 NOR 2004/Q4 64Mb 32Mb 0.13μm 茂德第二座12吋廠於2005/H2加入量產,唯大部分12吋廠產能仍以DRAM為主茂矽將委茂德/Cypress代工 表二　16Mb NOR Flash市場供需預估 Million bits 2003/Q1 2003/Q2 2003/Q3 2003/Q4 2004/Q1 2004/Q2 2004/Q3 2004/Q4 Total Demand 618 656 763 909 834 896 1017 1164 Total Supply 649 676 780 921 877 926 1030 1165 %Over / (under) supply 5％ 3％ 2％ 1％ 5％ 3％ 1％ 0％ NOR Flash的旺季需求在於每年下半年的第三、第四季，表三列出台灣NOR Flash現貨市場價格變化，從表中可以觀察到Intel在1月份時調漲各產品價格，導致各產品在現貨市場中價格勁揚12％～25％，甚至維持漲勢直到二月底。因此相較於Intel的高單價，非Intel系產品便顯得相當具有誘惑力，32Mb的市場價格幾乎只要Intel 32Mb的一半。在進入第三季之後，中低容量受到手機及數位家電需求的帶動，至第四季為止價格已有止跌持平的傾向，至於高容量NOR Flash的跌勢，則需觀察歐美高階手機普及的速度。 表三　台灣NOR Flash現貨市場價格變化（美元） Date Non-Intel 16Mbit Intel 16Mbit Non-Intel 32Mbit Intel 32Mbit Non-Intel 64Mbit Intel 64Mbit Intel 128Mbit 19-Dec-02 1.90 3.00 3.50 3.95 8.00 7.10 13.00 13-Jan-03 1.80 3.80 2.40 4.65 5.85 8.00 15.50 27-Jan-03 1.80 3.90 2.30 4.65 5.75 8.00 16.00 10-Feb-03 1.95 4.00 2.40 4.60 5.80 8.00 16.50 24-Feb-03 1.95 4.02 2.40 4.66 5.80 8.10 17.00 7-Mar-03 2.00 4.00 2.40 4.65 5.80 8.00 16.50 19-Mar-03 2.10 4.00 2.50 4.63 6.00 8.00 16.00 11-Apr-03 2.00 3.80 2.42 4.60 5.85 7.80 15.00 28-Apr-03 2.00 3.70 2.40 4.55 5.80 7.80 14.50 16-May-03 2.00 3.50 2.60 4.55 5.70 7.80 13.00 30-May-03 1.95 3.35 2.70 4.50 5.75 7.75 13.00 13-Jun-03 1.80 3.20 2.80 4.40 5.60 7.70 13.00 20-Jun-03 1.75 3.20 2.70 4.40 5.40 7.70 12.50 14-Jul-03 1.80 3.10 2.70 4.40 5.50 7.70 12.00 25-Jul-03 1.75 3.00 2.65 4.30 5.40 7.60 11.50 8-Aug-03 1.72 3.00 2.60 4.30 5.30 7.60 11.00 29-Aug-03 1.70 3.00 2.60 4.30 5.10 7.60 11.00 12-Sep-03 1.72 3.00 2.70 4.30 5.25 7.60 11.00   廠商現況分析 NOR Flash市場競爭之激烈尤勝於NAND Flash市場，主因在其技術門檻低，進入較容易，形成市場百家爭鳴的態勢。在2002年Intel以38％的市佔率拿下冠軍寶座，AMD和Fujitsu聯盟合計佔有26％，STMicro以11％緊追在後，至於台灣廠商旺宏與華邦合計約不到3％。根據iSuppli最新公布的2003年第三季調查數字顯示，FASL市佔率已微幅超越Intel，成功登上冠軍寶座，日商Sharp也大幅成長至15％。成長快速的Samsung和Atmel也備受關注，較第二季成長166.7％與164.3％，分居第10和11名。至於前十五大之中入圍的台灣廠商尚有旺宏的第八（市佔率3.4％）與華邦的第十四（市佔率0.6％）。 《圖一　2002與2003/Q3 NOR Flash市佔率》 ＜iSuppli＞ 國外大廠競爭激烈 Intel和AMD的戰火從CPU市場延燒到NOR Flash市場，雖然在2002年Intel仍然保持領先，但在AMD強化與Fujitsu的合作，以合資方式結合雙方Flash部門，成立FASL並結合共同資源對抗Intel。另一方面NAND Flash龍頭Samsung也覬覦NOR Flash市場，積極佈局，日系廠商Renesas則透過和台灣廠商聯盟的方式擴充產能。 Intel & FASL勢均力敵 Intel是Multi Level Cell的領導廠商，目前已經進展到第四代技術。同時Intel也是封裝技術的指標廠商，其Ultra Thin SCSP（Stacked Chip Scale Package）技術已經可以在1.2mm的高度下封裝5顆晶粒。從(圖二)中可以發現，自1999年手機不再是只有單純的通話功能之後，更多元化的表現、更高容量的Flash並未使手機重量直線的上升，仍然維持在一定的水準。這也代表著高容量的Flash封裝技術的重要性，如何在有限尺寸下封裝更多的晶粒技術，將是各廠商能否站上領先潮流的重要指標。目前Intel的主力產品是256Mb搭配64Mb 1T-SRAM，2003年10月已經對1Gb產品進行送樣，估計2004年的2月可以正式量產。 《圖二　手機功能演進與重量/Flash容量變化》 ＜資料來源：Intel；2003/2＞ 另一方面，AMD和Fujitsu在2003年改打共同品牌Spansion，同時在技術也持續擁有重大突破，率先開發出512Mb產品，造成Intel極大的壓力。(圖三)為FASL自行預估的行動市場市佔率和總營收，在2001年時Intel囊括60％的市場，當時AMD和Fujitsu聯盟只佔有20％。FASL預估在2003年可超過Intel，拿下36％的市佔率。另一方面預估第三季營收達4億4000萬美元，同樣超過Intel的3億8000萬美元；將此數據和iSuppli第三季公布的最新調查數據比較，FASL為4千2400萬美元、Intel為4億1400萬美元，目前雙方可謂勢均力敵，市佔率非常接近，到年底FASL能否達成大幅超越Intel的目標，值得拭目以待。 《圖三　FASL自行預估2003年行動市場市佔率及總營收》 ＜資料來源：FASL；2003/11＞ Intel在NOR Flash市場的佔有率節節下滑，目前普遍的看法是Intel在2003年1月強勢調漲各產品價格，導致部分客戶轉單至FASL、STMicro甚至Samsung，特別是失去Nokia此一影響NOR Flash市場將近20％之重量級客戶的信任，對Intel的打擊不小。但Intel對明年的1Gb StrataFlash產品深具信心，認為在容量上縮小與NAND Flash的差距、致力降低成本、持續強化封裝技術將能幫助Intel重新穩固NOR Flash市場霸主的地位。 FASL的關鍵技術MirrorBit則是類似Saifun的NROM技術，2002年底時獲得Saifun授權。FASL認為其MirrorBit理論上具有成本低、容量高及較MLC技術更佳的運算速度，在未來具有相當強的競爭優勢，計畫在2006年可達到4bit/cell、容量2～8Gb。同時FASL也不甘心侷限於NOR Flash領域，預計在2006年將使用MirrorBit技術發展NAND Flash。 《圖四　MirrorBit技術發展藍圖 》 ＜資料來源：FASL；2003/11＞ Renesas日本NOR Flash MCP市場稱王 Renesas和台灣廠商關係良好，除了在NAND Flash領域和力晶簽訂1 Gb AG-AND代工協議之外，在NOR Flash的佈局也一直和旺宏互動良好，10月份和旺宏簽訂代工0.13微米製程128Mb DINOR Flash。此外，值得注意的是Renesas在日本市場的NOR Flash MCP以40％的市佔率拿下第一，高出第二名的Sharp19％許多，在全球市場的NOR Flash MCP方面，則以19％拿下第二。Renesas在MCP市場的佈局上，由於同時具備NOR/NAND/LPSRAM/1T-SRAM/LPSDRAM等完整產品線優勢，使用不同產品組合封裝時能使用自有產品，不但具有拉抬效應，在成本上也擁有較佳的競爭力，目前唯有Samsung和Renesas具備相同完整的產品線。在MLC技術的進展方面，Renesas預計在2004年推出0.13微米製程256Mb DINOR Flash，並在2005年推進至90nm製程的512Mb。 《圖五　Renesas 2003/Q2 NOR Flash MCP日本市場市佔率》 ＜資料來源：Nikkei BP；2003/7＞

Samsung積極部署

身為手機製造商的Samsung自然也不願意儲存手機程式的關鍵零組件受制於人，因此在NOR Flash方面也積極研發，目前甚至已取得Nokia轉自Intel的訂單，對Samsung的研發成果不啻是一大肯定。同時以韓國的強烈民族性而言，韓國手機市場採用Samsung的NOR Flash可能性高。

台灣廠商急起直追

台灣廠商目前以低容量的NOR Flash為主要發展方向，2001年受到整體半導體產業低迷影響，產值大幅衰退，僅達1.84億美元。2002年起景氣微幅上揚，2003年景氣已有回升之兆，預估成長率可達近20％。2002年佔全球的Flash市場比重不到3％，預估2003年的比重也相去無幾。但在旺宏和力晶分別和外商簽下高價值的高容量Flash發展計畫之後，2004年起比重可望提升。

《圖六　台灣Flash產值》

＜資料來源：工研院IEK-ITIS計畫；2003/10＞

旺宏與Renesas聯盟並發展N-bit技術

旺宏本身擁有4Mb～64Mb NOR Flash的自有技術，是國內最大的NOR Flash廠商，在2003年第三季iSuppli全球Flash市場最新排名第九，市佔率為2.1％。旺宏未來的Flash佈局分成兩方面，首先在2003年10月份和合作良好的Renesas簽訂代工0.13微米製程128Mb DINOR Flash，預計2004年第二季開始sampling，年底進入量產。

另一方面旺宏也向Saifun取得授權NROM技術，打算發展自有品牌N-Bit Jaffa Flash，首推的容量為128Mb，製程則預計是以0.15微米為切入點，期望Jaffa Flash未來能打入高容量的Flash市場。值得注意的是NROM的技術十分新穎，之前業界對此技術能否順利走向0.13微米以下尚未有定論，然而在FASL預計2004年即可轉入0.11微米製程，並已勾勒2005年再導入90nm的情況之下，對旺宏發展的NROM技術是不但一種鼓舞，也是一種警惕，旺宏仍須在技術上急起直追，才有機會和國外大廠在高容量Flash舞台一較長短。

華邦和Sharp合作並開發自有技術

華邦是目前國內第二大的NOR Flash廠商，在2003年第三季iSuppli全球Flash市場最新排名第15，市佔率為0.4％。目前華邦主推的兩條產品線採用0.175微米製程，分別為高容量的ACT1和低容量的Winstack。高容量的產品採用和Sharp合作開發Advanced Contactless Technology生產，目標容量為32Mb～512Mb，但在製程的開發上遇上一些困難，進度向後延一季，因此最快將在2004年第二季sampling。低容量的Winstack為華邦自行開發之技術，今年第四季已經開始小量出貨32Mb產品，預定2004年第二季可放量開出，Winstack產品的策略將搭配DSP、SDRAM，以SiP（System in Package）技術整合為目標。在12吋廠的規劃方面，華邦的12吋廠確定座落中科，預定2004年下半年動工，產品組合為利基型記憶體和NOR Flash。

力晶與SST合作開發2Gb NOR Flash

SST（Silicon Storage Technology）於2003年12月1日發布將和力晶共同開發0.11微米製程之第三代SuperFlash技術，此技術將可用於生產256Mb至16Gb的NOR Flash，製程技術可微縮至90到65奈米。預計在2004年內完成製程及產品開發，2005年量產2Gb產品。SST對SuperFlash技術深具信心，認為以此技術開發NOR Flash不但可以縮短與NAND Flash容量上的差距，甚至有機會超越。新一世代的SuperFlash技術是以NOR架構取代目前產業界中NAND架構快閃記憶體的重要關鍵。力晶將使用12吋晶圓廠為SST代工，同時也能使用SuperFlash技術生產自有品牌，屆時將會根據力晶SuperFlash產品的銷售額，支付超捷權利金。力晶的第二座12吋晶圓廠目前也正在興建當中，預定在2005年第三季加入正式量產。力晶發言人譚仲民表示，未來力晶在兩座12吋晶圓廠的產能規劃上，將有三分之一以上供Flash使用。

除了旺宏、華邦和力晶在NOR Flash積極佈局外，茂矽也打算進入Flash市場，目前與美國半導體大廠Cypress合作，在美國成立快閃記憶體設計公司APlus，生產方式循兩種途徑：一是利用Cypress廠房生產NOR規格的32Mb與64Mb快閃記憶體，二是委請國內DRAM大廠茂德代工，盼能搭配茂德本身1T-SRAM進攻手持式市場，最快2004年底才會有完整的產品出現。

結語──台灣廠商2005年為決勝點

NOR Flash朝向高容量開發

在強調多媒體影音的高階手機陸續推出後，持續發展高容量的Flash方能跟上手機市場的腳步。NOR Flash在手持市場遭遇NAND Flash以MCP架構侵蝕，因此各廠商無不奮力提高容量，以拉近和NAND Flash每單位位元成本來對抗。Intel的MLC技術使StrataFlash容量持續更上一層樓，而FASL的NROM技術於理論上具有成本低、尺寸小的優勢，若能順利開發出4bit per cell，容量將可再向上翻新，也可望在Flash領域開創新頁。此外SST的高容量SuperFlash也不容忽視，搭配力晶的12吋廠產能可為雙方建立雙贏策略。

MCP產品線越完整獲利能力越佳

在更小的尺寸下封裝更多的晶粒是在手持市場的必然趨勢，MCP產品線的完整性對廠商的成本控制更顯得重要，同時可以拉抬其他產品，潛在效應可觀。以(表四)的資料觀察，Samsung、Toshiba、Renesas、Infineon在MCP市場中將會較佔優勢，對整體營收帶來加成的好成績。台灣廠商中，力晶、茂德、華邦也同樣具有較完整的產品線潛力，是未來MCP市場值得持續觀察的重點廠商。

台灣廠商在2005年決勝NOR Flash市場

台灣廠商目前佈局仍以中低容量為主，而力晶以12吋廠產能獲得SST的青睞，共同開發高容量2Gb NOR Flash。以目前各家廠商的規劃，除了旺宏尚未對12吋廠有明確的動作外，其他廠商皆已興建當中（甚至第二座）或是申請籌備中，在未來的競爭潛力雄厚，擁有傲人產能的同時也具備了獲得更多先進技術合作的潛在機會。2005年時台灣廠商在NOR Flash的佈局成果將會浮現，Flash產業將會在台灣半導體產業裡佔有舉足輕重的影響力。然而，也由於眾多廠商進入NOR Flash市場，是否會在2005年時呈現類DRAM化，將是另一個令人省思的議題。

（作者任職於拓墣產業研究所）