近幾年太陽能發電系統和產業用各種電源裝置、電動汽車、家電等功率電子領域，為了能藉由提升功率轉換效率，進而節能，市場需求效率更高、更好的功率元件。SiC元件的材料物性比傳統的Si元件還要好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率。而在上述用途之中，最重要的莫過於突波電流的耐受量了。ROHM半導體的SiC-SBD產品進一步擴大應用範圍，採用了新的元件構造，成功研發出最低VF值的特性，同時又具高突波電流耐受量的產品。

圖1

ROHM半導體針對伺服器和高階電腦等的電源PFC電路，研發出最適合的第3代SiC（Silicon Carbide：碳化矽）蕭特基二極體（以下稱為SiC-SBD）「SCS3系列」。本產品採用全新的構造，保持前代SiC-SBD最小順向電壓（VF=1.35V、攝氏25度），同時又可以確保高突波電流耐受量。如此一來，就能夠運用在伺服器和高階電腦等的電源PFC電路上，進而提升應用裝置的效率。

圖2

圖3

技術特色

1.保有低VF特性又具高突波電流耐受量

此次研發的第3代SiC-SBD「SCS3系列」，為了能夠實現高突波電流耐受量，特地採用了JBS（Junction Barrier schottky）構造。原有的產品已經採用可以提升突波電流耐受量，以及改善漏電流特性的構造，但ROHM半導體最新的第3代，則是在保留原有的特點之下，進一步改善第2代SiC-SBD的低VF特性，製造出性能更高的產品。

圖4

2.順向最小電壓（VF=1.35V/攝氏25度、1.44V/攝氏150度）

ROHM半導體在製造第2世代的SiC-SBD時，藉由改善製程和產品構造，做到了最小的順向電壓。本產品在高溫環境之中，擁有比第2代產品更低的VF值，導通損耗更低、效率更高。

圖5

3.低漏電流特性

一般而言，降低順向電壓後反而會增加逆向漏電流，但ROHM半導體最新的第3代SiC-SBD，由於採用了JBS構造，能成功降低漏電流和順向電壓。本產品相較於第2代SiC-SBD，額定電壓只有1/20左右(650V、Tj=150℃時)，所以能有效降低漏電流。

圖6

圖7

本產品適合於個人電腦、伺服器、空調設備等應用裝置的高階電源裝置內部PFC電路，除了針對TO-220ACP封裝推出多款產品。此外，ROHM預計日後在TO-263AB（表面安裝型）研發適合的產品。