作為常見的電腦主記憶體，動態隨機存取記憶體（DRAM）現已發展出多元的標準，本文上篇已回顧了各種DRAM的特色，下篇則將進一步探討3D結構發展下的DRAM類型，並分享愛美科的DRAM發展途徑。

動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory；DRAM）的類型多元，包含本文上篇所提到的常規DDR、LPDDR、GDDR等，然而上述DRAM發展之時並沒有3D革命。

藉由3D技術—我們這裡指的是運用矽穿孔（through-silicon-vias；TSVs），也就是晶片內部的垂直內連導線，這些導線能透過晶片之間的微凸塊（microbump）互連。運用多條尺寸極小的垂直內連導線，兩個相互堆疊的晶片就可能可以進行資料傳輸，這使得全新的晶片設計和架構成為可能。
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