由於5G、電動車、高頻無線通訊及國防航太等新興科技趨勢的興起，產業對於高頻率、低耗損的表現需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環境作業下損失較少功率的化合物半導體材料，備受產業期待。而基於碳化矽（SiC）晶片製作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統矽基半導體所不能滿足的諸多優點。

放眼全球化合物半導體大廠，碳化矽（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合製造能力的整合元件製造商（IDM），在碳化矽之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模組廠包括歐系的意法半導體（STM）、英飛凌（Infineon）、日本的羅姆（Rohm）和三菱電機（Mitsubishi Electric）等。

在半導體材料領域，台灣的環球晶為全球第三大半導體矽晶圓供應商，除了產品佈局的組合多元，提供半導體材料「一站式購買」服務，並且在碳化矽晶片領域積極佈局掌握關鍵技術。
...
...