随着微电子技术的发展，传统的Si和GaAs半导体材料由於本身结构和特性的原因，在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性。目前，人们已将注意力转移到SiC材料，这是目前最成熟的宽能隙半导体材料（一般指能隙宽度>2.3eV）。

近年来，SiC、GaN由於显现出重要的军事应用和良好的市场前景，许多国家纷纷将其列入国家级的发展策略投入巨资支持。早在好几年前，美国就已经成立新一代电力电子元件国家制造创新中心，欧洲则启动了LAST POWER产学研项目，日本也设立了下一代功率半导体封装技术开发联盟。美国计划在接下来几年，加速民用SiC、GaN等电子元件的研发和产业化，预计其带来的节能效果将会等同於900万户的家庭用电总量。而目前中国发展宽能隙半导体也具有良好的机会与环境。从消费性电子设备、新型半导体照明、新能源汽车、风力发电、航空发动机、新一代行动通讯、智能电网、高速轨道交通、大数据中心，到飞弹、卫星及电子对抗系统等，都对高性能SiC和GaN元件有着极大的期待和需求。因此无论从国防安全还是经济发展的角度，宽能隙半导体材料的发展空间都很大，市场前景也很好。

身为第三代的半导体材料，SiC具有能隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点。成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电整合元件的理想材料。在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体元件及紫外探测器等方面，都具有广泛的应用前景。

SiC良好的半导体特性，将为?多的元件所采用。SiC作为高温结构材料，已经广泛应用於航空、太空、汽车、机械、石化等工业领域。利用其高热导、高绝缘性，目前在电子产业中应用作为大规模整合电路的基板和封装材料。在冶金工业中，可作为高温热交换材料和脱氧剂，同时用来作为一种理想的高温半导体材料。

随着SiC半导体技术的进一步发展，SiC元件的应用领域也越来越广阔，成为全球许多产业对於新材料、微电子和光电子领域研究的热点。因此，SiC具有的优良特性和无限的应用前景，以及其巨大的市场潜力，必将引来激烈的研发竞赛。可以预料，它既是科学家争先占领的高阶技术领域制高点，又是能带来巨大商业利润的新战场。

SiC膜层材料具有很大的发展潜力和应用前景，在现代工业的高速发展和技术水准的高度要求下，SiC膜层材料必将以其独特优势在工业领域占据重要位置。但同时也应看到，SiC膜层材料在未来要取得更进一步发展，并进一步跨入到大量生产的新规模，还需要进行更多技术的探索和研发的实现。因此，进一步加强理论研究、降低成本、提高材料质量，并持续进行研发探索，将是今後的工作重点。