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英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年04月19日 星期五

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近年来全球光储系统(PV-ES)市场快速增长。光储市场竞争加速,提高功率密度成为厂商得胜关键;英飞凌科技(Infineon)为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件,共同推动绿色能源发展。英飞凌将为麦田能源提供 CoolSiC MOSFET 1200 V 功率半导体元件, 搭配 EiceDRIVER闸极驱动器用於工业储能应用。 同时,麦田能源的串列型光伏逆变器将使用英飞凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半导体元件。

麦田能源 H3PRO 30kW 储能解决方案采用英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200 V 功率半导体元件,重新定义了100kW机型的整体设计。
麦田能源 H3PRO 30kW 储能解决方案采用英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200 V 功率半导体元件,重新定义了100kW机型的整体设计。

英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200 V以及IGBT7 H7 1200 V 系列功率半导体元件采用最新的半导体技术以及贴合产业应用的设计理念,以期为储能应用提升效率,提高功率密度。英飞凌资深??总裁暨工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉表示,英飞凌将继续助力麦田能源在光储应用实现更高的功率密度,以及更可靠的系统,从而推动低碳化进程。

英飞凌CoolSiC MOSFET 1200 V 凭藉其高功率密度的优越性能,可将损耗降低50%, 在不增加电池尺寸的情况下,额外提供约 2% 的能量,这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。 麦田能源的H3PRO 15kW~30kW 储能机型全系列使用英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200 V。得益於英飞凌产品优异的性能,H3PRO 机型能取得最高98.1%的效率及优异的电磁相容性能;使得麦田能源 H3PRO 机型在全球市场的销量快速上升。

英飞凌的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V 产品系列,具有更低损耗,帮助提高逆变器整体效率和功率密度的优势,尤其在大功率变流器项目上,电流处理能力在100A 以上的大电流封装分立元件可以降低 IGBT 并联数量,替代IGBT模组方案,进一步提高系统可靠性并降低成本;另外,H7系列产品的高品质性能,以及更强的抗宇宙射线能力等特性已经成为业界标竿。目前麦田能源在工业和商用领域的主力机型 R Series 75~110kW,正是使用 IGBT7 H7系列分立元件,重新定义了100kW 机型的整体设计方案,整机最高效率98.6%;得益於分立式封装 IGBT7 H7 系列的高品质性能,避免了并管过程中均流等技术问题,从而大幅提高运行可靠性。

每个功率元件都需要一个驱动器合适的驱动器让设计事半功倍。英飞凌的产品可提供 500多种 EiceDRIVER 闸极驱动器,典型输出电流从0.1 A到18 A。并具有全面的保护功能,包括快速短路保护(DESAT)、主动式米勒钳位、直通短路保护、故障报告、关断以及过流保护,适用於包括 CoolSiC 和 IGBT 在内的所有功率元件。

關鍵字: 功率半导体  Infineon  麦田能源 
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