晶圆大厂联电转投资的IC设计业者迅慧科技（HBA），日前宣布已与联电共同完成90奈米高速静态随机存取内存（SRAM）之原型芯片，预计今年下半年可进行量产，联电企图以此产品提升在电信通讯市场的接单能力与市占率。

据经济日报报导，迅慧是联电近年转投资成立的重要IC设计公司，由原先负责联阳半导体的黄财旺担任董事长兼总经理；黄财旺表示，90奈米高速SRAM的研发成功，除证明迅慧设计团队的能力与联电之制程技术水平，亦希望以此产品使迅慧的同步SRAM营收在电信通讯产业市场中大幅成长。

该90奈米高速SRAM原型，在核心电压范围介于0.8V-1.4V及低电流下，仍具备高执行效能的特色。此SRAM原型可应用于未来的系统单芯片整合，符合迅慧高密度ZeBL（Zero Bus Latency）SRAM系列产品的标准；目前第一批晶圆已成功通过验证，预计在下半年可进入量产。