力旺电子今日宣布其嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)记忆体矽智财NeoMTP已成功於台积公司第三代0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)制程完成验证，提供IoT电源管理晶片(Power Management IC，PMIC) 客户极隹成本优势的NVM矽智财解决方案。

力旺NeoMTP已广泛被USB Type-C与无线充电等电源管理晶片的客户所采用，这次与台积公司在0.18微米第三代BCD制程合作的解决方案，具备更高整合性、更微小化、更低功耗等优异特徵。

无线充电已成为行动装置与IoT相关应用的基本配备，因此，市场对於整合逻辑控制(MCU)以及功率元件(Power Stage)的系统单晶片(SOC)的需求也逐步提升，同时，记忆体也被整合进系统单晶片中做程式码储存(Code Storage)功能，力旺的NeoMTP矽智财是此种设计的最隹解决方案。

与传统的OTP或外挂式EEPROME相比，使用嵌入式MTP之无线充电控制器不仅提供更弹性的可编程性效能，同时更减少设计冗馀(design redundancy)。

「力旺的NVM产品在电源管理领域向来是极隹的选择」力旺业务发展中心??总何明洲表示。「力旺布建於台积0.18微米第三代BCD制程的NeoMTP配备极优的特性，可使设计者在快速成长的电源管理市场取得先机。」

NeoMTP具备的独特特性包括不需唤醒操作以节省测试时间进而降低测试成本、支援快速编程/擦拭(Program/Erase)以及多晶片同步测试的模式，可方便用於大量测试。

除此之外，NeoMTP还具有以下特性：

- 可完全相容於标准的CMOS逻辑制程

- 优於标准的操作电压范围

- 高可靠度与支援高温操作

- 1,000次编写後记忆体仍维持10年以上的资料留存时间

NeoMTP的容量最高可达 8K32，不须多加光罩，且可客制化输出/输入(I/O)数字以符合客户的不同需求。

力旺NeoMTP於台积公司0.18微米第三代BCD制程的成功布建可帮助IC设计客户有效率地达成整合所有功能於单一晶片中的目标，以缩短产品的开发上市时程。