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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年11月12日 星期二

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三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric)宣布,将开始发货用於驱动马达的碳化矽 (SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)裸晶片样品11月14日,三菱电机推出电动车(EV)、??电式混合动力车(PHEV)和其他电动车(xEV)的逆变器。该公司能够应对逆变器的多样化为xEV提供支持,并为这些车辆的日益普及做出贡献。

标准化功率半导体晶片将延长xEV的行驶里程并降低电力成本。左图为用於 xEV 的 SiC-MOSFET 晶圆;右图为用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片布局。(source:Mitsubishi Electric)
标准化功率半导体晶片将延长xEV的行驶里程并降低电力成本。左图为用於 xEV 的 SiC-MOSFET 晶圆;右图为用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片布局。(source:Mitsubishi Electric)

用於xEV的新型 SiC-MOSFET 裸晶片结合专有的晶片结构和制造技术,透过增强xEV的逆变器性能、延长行驶里程和提高能源效率,提升减碳效益。

三菱电机的新型功率半导体晶片是专有的沟槽 SiC-MOSFET,与传统的平面SiC-MOSFET比较之下,功率损耗降低大约50%。由於独特的制造技术,例如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜制程,新晶片实现了长期稳定性,有助於提高逆变器的耐用性和xEV性能。

關鍵字: 功率半导体晶片  三菱电机 
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