埃赋隆半导体（Ampleon）宣布其叁加3月20日至3月22日在中国北京举行的电子设计创新大会（EDI CON）的详细资讯。

埃赋隆半导体叁加EDI CON 2018大会

埃赋隆半导体所在的630号展位，位於中国国家会议中心的4楼，将会布置一系列的热门产品和演示。其中包括面向粒子加速器、Doherty广播发射机和无线基地台的解决方案。该公司还将展示基於LDMOS的产品，包括面向FM广播应用的大功率元件、面向镭射和等离子体生成的极其坚固耐用的解决方案，以及面向航空电子和雷达系统的元件。此外，面向射频能量应用的元件和pallet也将在展位上展示。

除展位展品外，埃赋隆半导体的多名员工也将叁与该活动的会议日程。埃赋隆半导体射频建模工程师Amit Dixit将於3月20日（星期二）下午12点55分在406室发表一篇关於「面向射频功率放大器设计实现的精确GaN建模（Accurate GaN modelling for RF power amplifier design enablement）」的论文。

埃赋隆半导体开发与应用高级总监Coen Centen先生将于3月22日（星期四）上午9点在405室，叁加主题为「进军工业市场（Inroads to the Industrial Market）」的射频能源联盟（RF Energy Alliance）专题研讨会。埃赋隆半导体是射频能源联盟的创始成员之一，在推广高能效、紧凑和极其可靠的固态射频功率解决方案方面发挥了领导作用。

3月22日下午12点20分，埃赋隆半导体创新工程师Osman Ceylan将在403室发表一篇关於「宽频大功率放大器用偏置网路的设计和优化（Design and Optimization of Biasing Networks for Wideband High Power Amplifiers）」主题的论文。