账号:
密码:
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
Fairchild协助古瑞瓦特的太阳能逆变器实现高功效
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 报导】   2016年01月07日 星期四

浏览人次:【5488】
  

Fairchild宣布其650 V 场截止沟槽式IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代太阳能逆变器中,该公司是家用与商用太阳能应用逆变器制造商。由于使用Fairchild的IGBT,古瑞瓦特将其新型5K-HF太阳能逆变器的功率密度,与之前型号相比提升了20%。

新一代太阳能逆变器采用Fairchild的4L封装650 V场截止沟槽式IGBT
新一代太阳能逆变器采用Fairchild的4L封装650 V场截止沟槽式IGBT

古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示︰「我们的新一代太阳能逆变器率先采用Fairchild的TO247 4L封装IGBT,运用IGBT晶圆及4L封装制程新技术,我们能够透过大幅提高驱动讯号的开关频率充分利用IGBT的特性,从而获得安全工作区,同时不会显著增加半导体的功耗。此外,我们还可以使用较小的磁性元件,从而显著减小系统尺寸并提高性价比。」

Fairchild 高功率工业应用事业部副总裁Jin Zhao 表示︰「有像古瑞瓦特在其超高效率的下一代太阳能逆变器中采用我们的650V场截止沟槽式IGBT,彰显了我们的IGBT特性及功能, 这些IGBT采用Fairchild的创新型场截止技术,为要求较低传导及开关损耗的太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信设备、ESS及PFC应用提供最优化效能。」

古瑞瓦特执行总裁(CEO)丁永强表示︰「提高逆变器的效率及功率密度是古瑞瓦特研发人员长久以来的目标。半导体技术的进步显著减少了我们的逆变器所需的金属部件的比例,这会导致多种好处,包括较小的产品尺寸、较小的重量、更低的成本,及更轻松的传输与存储。我们会在此次成功的基础上更进一步,并继续在我们的太阳能逆变器开发中采用先进技术,从而为客户提供更多价值以及更佳的效率及功率密度, 我们采用更高的开关频率拓扑开发了新的5K-HF逆变器,这是一个更优的布局及新的磁性材料,提供高效率,功率密度共提高20% 以上。 」Fairchild的650V场截止沟槽式IGBT采用全新IGBT技术及创新型封装,因而能够实现这个目标。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: IGBT  太阳能逆变器  沟槽式  4L封装  650 V  Fairchild  古瑞瓦特 
相关新闻
安森美半导体将於欧洲PCIM 2019推出新款IGBT产品
工研院携手强茂 前进电动车功率模组市场
盛齐SolarEdge先进HD-Wave太阳能逆变器
芯科推新隔离闸极驱动器 为IGBT提供先进监测
Littelfuse将收购安森美半导体的精选产品组合
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关产品
» Silicon Line在Computex 2019上展示用於HDMI 2.1、DisplayPort、USB和虚拟实境的最新光连结科技
» 市场先锋:Basler推出智慧型灯源解决方案
» Diodes推出符合汽车规格的60V快速调线性LED控制器
» 英飞凌推出适用於一般照明的新款60V线性LED控制器IC
» UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返驰式转换器的SiC JFET系列
  相关文章
» 多功能平面清洗机构
» 精确测色的新时代来临了?
» Micro LED真能现身Apple Watch?
» LED驱动器电压选择实务与实际应用
» 台湾太阳能「脱惨」还要几步路

AD


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2019 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw