外电消息报导，三星电子与海力士半导体于周三（6/25）共同宣布，将合作发展下一代的半导体芯片，并推动450mm的18吋晶圆厂标准。

据报导，三星与海力士共同表示，双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机内存(STT-MRAM)芯片的研发工作，并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。双方表示，研发工作将于8月份开始着手实施，而新一代的芯片市场将在2012年左右，会逐渐趋于成熟。

STT-MRAM为MRAM技术中的一种，其对透过穿隧磁阻(TMR)组件的电子旋转方向进行极化，以改变自由磁层的磁化方向，因而实现数据写入。由于不使用外部磁场，旋转力矩型MRAM比传统的MRAM消耗更少的能量，而且更易微缩，而其他的结构与传统MRAM相同。