面对现今人工智慧（AI）、5G构成的AIoT时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料，要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点。工研院今（17）日也发表与台积电合作，携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）领先国际。

工研院与台积电合作开发出自旋轨道转矩磁性记忆体SOT-MRAM，适用於记忆体内运算，且功耗仅为STT-MRAM的1%成果领先国际。

其中透过工研院建立深厚的前瞻记忆体研发能量，与晶圆制造龙头台积电双方携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体（SOT-MRAM），即由阵列晶片搭配创新的运算架构，适用於记忆体内运算，且功耗仅为STT-MRAM的1%成果领先国际。

工研院电子与光电系统所所长张世杰指出，工研院和台积电继2023年在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同发表论文之後，今年更合作开发出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等优点的SOT-MRAM单元，展现次世代记忆体技术的研发能量，维持半导体产业地位。

同时结合了电路设计完成记忆体内运算技术，进一步提升运算效能，并跳脱了MRAM已往以记忆体为主的应用情境。双方还将研发成果在「国际电子元件会议」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同发表论文，未来可将此技术应用在高效能运算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及车用晶片等领域。