??侠公司 (Kioxia ) 和Western Digital 公司宣布最新 3D 快闪记忆体技术资讯，展示持续创新。该 3D 快闪记忆体采用先进的缩放和晶圆键合技术，提供卓越的容量、性能和可靠性，适合满足广泛市场领域呈指数级增长的资料需求。

Western Digital 技术与战略资深??总裁 Alper Ilkbahar 表示：「新的 3D 快闪记忆体展示了我们与 Kioxia 强有力的合作夥伴关系以及我们共同的创新领导地位所带来的好处。通过使用一个共同的研发路线图和对研发的持续投资，我们已经能够提前将这一基础技术产品化，并提供高性能、资本高效的解决方案。」

??侠和 Western Digital 通过引入几种独特的流程和架构来降低成本，从而实现持续的横向扩展进步。垂直和横向缩放之间的这种平衡，以优化的成本在层数更少的更小芯片中产生更大的容量。两家公司还开发了开创性的 CBA（CMOS 直接键合到阵列）技术，其中每个 CMOS 晶圆和单元阵列晶圆都在其优化条件下单独制造，然後旒合在一起以提供更高的位密度和更快的 NAND I/O 速度。

「通过我们独特的工程合作夥伴关系，我们成功推出了具有业界最高1位密度 的第八代 BiCS FLASH，」??侠公司技术长 Masaki Momodomi 表示：「Kioxia已开始为有限客户提供样品。通过应用 CBA 技术和扩展创新，我们改进了3D 快闪记忆体技术组合，用於一系列以数据为中心的应用，包括智慧型手机、物联网设备和资料中心。」

218 层 3D 快闪记忆体利用具有四个平面的 1Tb 三级单元（TLC）和四级单元（QLC），并采用创新的横向收缩技术，可将位密度提高 50% 以上。其超过 3.2Gb/s 的高速 NAND I/O，比上一代产品提高了 60%，加上写入性能和读取延迟提高了 20%，将为用户提高整功能和可用性。