旺宏电子今日（6/24）发表最新的3D NAND Flash研究成果，其总经理卢志远表示，这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同，但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产，可以解决高容量内存成本高昂的问题，最高目标希望能与硬盘并驾齐驱，甚至超越硬盘。

旺宏电子总经理卢志远对于最新的3D NAND Flash技术感到相当兴奋。 BigPic:350x234

根据ITRS评估，3D IC是让NAND Flash可以持续维持微缩，并且让内存内电子数目保持在100颗以上的方案。Toshiba在2007年提出的BiCS技术，由于可让减低光罩制程的支出成本，让业界为之一惊纷纷跟进，今日旺宏电子所发表的新技术，即是由此衍伸进化而来。

卢志远认为，Floating Gate Flash技术虽然勉强延续到今日，但其实在30奈米阶段，就已经面临瓶颈。尤其在行动装置需求甚殷，3D IC需求渐长的状况下，FG在进入3D IC领域时遇到了很大的问题。由于FG不像SONOS一般本身就是绝缘体，可兼任电荷的储存场所，故必须处处绝缘，以防止电荷到处流动。所以，卢志远表示，FG在3D IC领域无法克服的困难，至多发展至10奈米，便会迈向衰败，此时此刻正是3D VG NAND切入的机会点。

旺宏电子今日宣布之技术在译码方面进行创新，采取三平面相交一点，以决定内存的位置。此外，并在Toshiba的基础上，以BE-SONO为组件，在电性表现上更优异。目前于相同领域进行研发的除了旺宏电子，还有Samsung。卢志远说，旺宏的技术特点在于采用垂直闸极架构，让电流以水平方式流动，以避免一般3D IC邻近垂直内存间彼此干扰的问题。也因此，采此技术制造的内存可以在厚度变薄的情况下增加层数，提高内存的密度。