Aviza Technology宣布与茂硅电子签订共同开发计划(JDP)。部分合作案内容为，Aviza和茂硅电子将共同开发应用在下一代闪存的原子层沉积层(ALD)材料。

根据合作协议的内容，Aviza将会提供开发先进原子层沉积材料必要的硬设备，以及创新的制程专才，而茂硅电子将会提供组件设计，及制程整合技术以开发符合茂硅技术和制造需求的原子层沉积层薄膜。这项计划将使用到Aviza经量产验证的Celsior fxP单晶圆原子层沉积(ALD)系统以开发这些薄膜。

「茂硅电子非常高兴和Aviza共同合作以开发值得下一代闪存组件量产的原子层沉积层薄膜」茂硅电子执行副总，Len Mei博士说：「Aviza已经证明其在原子层沉积层方面的制程和技术能力，而且我们期待和Aviza在先进薄膜方面的开发合作。」

茂硅电子引领的闪存技术研究和发展将焦点放在产生更高密度，更低营运成本及更快读写速度的闪存组件—全部都位于最尖端消费性电子组件所需求的较小组件面积上。为了达到这些目标，早期原子层沉积层薄膜材料的开发在降低组件设计尺寸到58奈米及更小时，要符合这些薄膜特性的需求对于确保可制造性是非常关键的。正在研发中的先进薄膜将会以他们的物理特性，电子特性，以及他们能成功被整合到先进闪存制造过程的程度来筛选。

Aviza将会在今年的SEMICON Taiwan展出，欢迎至摊位282参观。