英飞凌科技和 Panasonic 公司，已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化镓 (GaN) 技术签订合约，基于已获认可接受的GaN技术，Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。

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为了因应市场需求，Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT。该装置具备易使用性和更高的性价比，主要应用包括高功率与低功率的 SMPS 应用、再生能源、马达驱动等。

对许多设计而言，氮化镓 (GaN) 可提供比矽更多的基础优势。与矽 MOSFET 相比，GaN HEMT 具备出色的特定动态导通电阻和较小的电容，因此符合高速切换的要求。能达到省电、系统总成本降低、可在较高频率下操作、提高功率密度和整体系统效率等效益，使 GaN 成为对设计工程师而言极有吸引力的选项。

英飞凌电源与感测系统事业部总裁 Andreas Urschitz 表示：「除了具备与第 1 代相同的高可靠性标准外，由于改采 8 吋晶圆制造，客户将可受惠于更易于控制的电晶体以及大幅改善的成本定位。」如同双方合作开发的第 1 代装置 (英飞凌 CoolGaN 和 Panasonic X-GaN)，第二代装置将会以常关型矽基氮化镓 (GaN-on-silicon) 电晶体结构为基础。在此基础上结合混合汲极嵌入式闸极注入电晶体 (HD-GIT) 结构无可比拟的稳固性，让这些元件成为市场上的首选产品，同时成为长期最可靠的解决方案之一。

Panasonic 工业解决方案公司工程部门副总监 Tetsuzo Ueda 表示：「我们很高兴能够和英飞凌在 GaN 元件方面继续合作。在这样的合作下，我们将透过最新创新发展，供应高品质的第 1 代和第 2 代装置。」