松下电器（Panasonic）及瑞萨科技（Renesas）宣布，将在瑞萨那珂厂（茨城县日立那珂市）加强双方对尖端SoC制程技术的联合开发工作，并从2009年10月1日起，启动该厂房之28至32奈米制程开发生产线的运作。两家公司将以其300mm晶圆生产线投入那珂厂的联合开发工作，并提供联合开发架构，以开发28奈米制程技术。预定近期内开始大量生产。

在瑞萨科技成立之前，松下电器与瑞萨科技即已在1998年达成联合开发新一代SoC技术的协议，并持续在瑞萨北伊丹厂（兵库县伊丹市）开发90奈米、65奈米、45奈米和32奈米世代的半导体制程技术。此联合开发工作的成果之一，即为在2008年10月使用具备金属/高介电率栅极堆栈结构的晶体管技术以及32奈米系统SoC制程的超低介电材料，完成互连技术开发，并进一步确定其于大量生产应用上的目标日期。此外，在2009年7月，这项合作案使用金属/高介电率栅极堆栈结构为28奈米制程完成SRAM记忆晶胞的开发。如今两家公司进一步以这些成果为基础，将在瑞萨那珂厂新装设的300 mm晶圆开发生产在线使用28奈米制程技术，以实现完全整合技术的联合开发运作。

除了将瑞萨北伊丹厂房的部份开发生产线设备转移过来之外，两家公司也已在那珂厂的开发生产线中装设新式生产设备。藉由落实实际应用于大量生产的晶圆尺寸开发工作，两家公司所希望达成的目标是顺畅移转至大量生产，并降低开发成本及时间。这些成果将能改善开发及生产效率。

28至32奈米 SoC制程技术正是这些联合开发努力的成果，并已充分运用在两家公司的尖端行动装置及数字设备SoC应用上。目前两家公司的厂房中已开始大量生产这些产品。

此一长期合作关系是造就此次宣布的技术累积成果主要推手，因此两家公司仍会持续携手开发高效率尖端技术，并尽早将这些技术运用在产品量产上。