2013年2月，Altera和英特尔(Intel)共同宣布新一代Altera的高性能FPGA产品将独家采用英特尔的14奈米3D三闸极晶体管技术。这代表着FPGA也已跨入3D晶体管世代了。

平面架构与3D晶体管设计的差异示意图（图：Altera） BigPic:632x386

全球领先的半导体公司都不断地针对3D晶体管结构进行优化和可制造性研究。国际半导体技术蓝图(ITRS)定义了晶体管技术要求，让半导体公司们能够达成对性能、功率和密度和其他必要特性的目标。ITRS及其出版的文件对制造相关部份做出了结论和建议，包括应变硅和High-K金属闸极，以及目前使用的3D晶体管技术，以便让半导体技术能够跟随摩尔定律(Morre’s Low)的脚步持续向前。

过去二年来，业界有两次重大技术进展将3D晶体管推向舞台前端，让它受到世人高度关注。第一次是英特尔公司在2011年5月4日宣布了22奈米制程三闸极晶体管组件制程的重大进展。在此之前，相关研究早已经进行了许多年。第二个重大事件是ITRS公布的技术蓝图，这份由业界多家半导体制造公司参与而成的发展蓝图确认了3D晶体管技术将成为半导体产业在20或22奈米设计节点之后能再获得大幅改善的关键技术。

在Altera的一份技术白皮书中提出了从传统平面架构转向3D晶体管设计对半导体制造产业带来的影响，以及这种转换如何为高性能可编程逻辑带来更强大的推动力量。文章中介绍了三闸极和相关技术的发展情况，以了解三闸极技术如何能为FPGA提供更高性能，以及该技术如何能为数字电路在速度、功耗和生产可用性方面带来更多优势。

[白皮书下载]The Breakthrough Advantage for FPGAs with Tri-Gate Technology