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受产能排挤影响 DRAM价格大幅上扬
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2006年04月19日 星期三

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受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配,以及DRAM大厂的DRAM及NAND闪存的产能排挤等因素影响,四月以来DRAM现货价格明显向上拉高,其中又以DDR价格上涨动力最强,有效测试(eTT)256Mb DDR十八日单日就大涨逾5%收2.35美元。

不过NAND闪存价格却持续疲弱,不仅现货价全面走跌,四月合约价更出现重挫35%以上的崩跌现象。集邦科技表示,DRAM在供给不足市况中,价格仍会涨,NAND则是供给过剩,价格未见止跌迹象。

虽然第二季是传统个人计算机市场淡季,但是DRAM价格走势却是异常强劲,除了英特尔出清旧款865芯片组库存,刺激DDR市场需求成长外,DRAM厂第一季大量将DDR产能转向生产DDR2,已在近期造成DDR供给量严重吃紧,所以256Mb DDR近二周内涨势强劲,现货价已拉高至2.3美元以上,现货价与合约价间也形成代表景气多头的黄金交叉。

未来主流的DDR2,近期来自OEM计算机大厂的需求强劲,但现货市场的需求却还未被刺激出来。南亚科技副总经理白培霖说,OEM计算机大厂已大量采用英特尔支持DDR2的新芯片平台,对DDR2的需求量会愈来愈大,但对价格敏感的现货市场,则要等到中低价位的超威支持DDR2的AM2平台上市后,市场需求才会转强。由于国内外DRAM厂今年的位成长率远低于历史平均水平,DDR2合约价未来大涨机率很高。

相较于DRAM热络市况,NAND闪存市场却还身陷价格崩跌的阴霾中。根据集邦科技统计,四月份主流容量的2Gb、4Gb、8Gb NAND闪存合约价,较三月份大跌逾35%,且合约价平均来看均低于现货价,出现约二成的价差空间。虽然近来现货价有持稳迹象,不过在合约价开低后,合约客户在现货市场套利的机率大增,现货价看来还有下跌空间。

集邦科技表示,NAND闪存合约价大跌,主因在于供货商三星、东芝、Hynix等的90奈米及70奈米良率大幅拉高,导致出货量在近几周内大量涌现,供给过剩的激烈竞争,自然会造成价格出现崩跌。

不过随着日本四月底的黄金周假期、大陆五一长假等假期将至,预计会带动MP3播放器、数字相机等消费性电子产品销售量,也会刺激出NAND庞大需求,所以NAND现货市场交易量能已经开始放大,整个市场景气应可在第二季筑底。

關鍵字: DRAM  集邦科技  动态随机存取内存  闪存 
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