帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
東芝推出採用96層3D快閃記憶體的1TB單一封裝PCIe Gen3 x4L SSD
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年01月14日 星期一

瀏覽人次:【2008】

東芝記憶體株式會社(Toshiba Memory Corporation)推出BG4系列,該新系列單一封裝NVMe SSD儲存容量高達1,024GB,在單一封裝中嵌入創新性96層3D快閃記憶體和全新控制器。

東芝推出採用96層3D快閃記憶體的1TB單一封裝PCIe Gen3 x4L SSD
東芝推出採用96層3D快閃記憶體的1TB單一封裝PCIe Gen3 x4L SSD

該新系列單一封裝SSD採用PCIe Gen3 x4通道,循序讀取性能高達2,250 MB/s,且快閃記憶體管理得到改善,提供業界領先的隨機讀取速度,每秒讀寫操作的次數高達380,000。BG4單一封裝SSD適用於緊湊型和性能型系統,如超薄筆記型電腦、物聯網嵌入系統和資料中心啟動伺服器。

而且,與上一代BG3系列相比,BG4系列循順寫入速度和隨機寫入速度分別提高約70%和90%。此外,該新系列採用東芝記憶體株式會社尖端的BiCS FLASH 3D快閃記憶體和全新的SSD控制器,其讀取功率效率提高達 20%,寫入功率效率提高達7%。

BG4單一封裝SSD系列將提供128GB、256GB、512GB和1,024GB四種儲存容量。其中,儲存容量512GB以下的SSD厚度超薄,僅為1.3mm。尺寸外形選項包括表面黏著型M.2 1620 (16 x 20mm)單一封裝或抽取式M.2 2230 (22 x 30mm)模組。

關鍵字: 記憶體  東芝(Toshiba
相關新聞
國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術
Bosch新版智慧聯網感測器 為全身運動追蹤設計打造個人教練
工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機
台灣研究團隊開發雙模二維電子元件 突破矽晶圓物理限制
ROHM與Toshiba合作製造功率元件 強化日本半導體供應鏈
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 光電轉換材料新星--鈣鈦礦太陽能電池
» SSD市場前景豔陽高照
» 馬達控制技術趨勢
» 慶祝Wi-Fi技術誕生20週年(1)
» 最新dsPIC33EP128GS808 系列數位信號處理器


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.145.163.58
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw