隨著微電子技術的發展，傳統的Si和GaAs半導體材料由於本身結構和特性的原因，在高溫、高頻、光電等方面越來越顯示出其不足和侷限性，目前，人們已將注意力轉移到SiC材料，這將是最成熟的寬能帶半導體材料。

SiC既是科學家爭先占領的高技術領域制高點，又是能帶來巨大商業利益的戰場。

身為第三代的半導體材料，SiC具有能帶寬、熱導率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電場高，以及介電常數低、化學穩定性好等特點，成為製作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波長發光及光電整合元件的理想材料，在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體元件及紫外探測器等方面，都具有廣泛的應用前景。

SiC優越的半導體特性，未來將可為眾多的元件所採用。SiC擁有高溫結構材料特性，目前已經廣泛應用於航空、航天、汽車、機械、石化等工業領域。利用其高熱導、高絕緣性，目前在電子工業中則是用於大規模整合電路的基板和封裝材料。在冶金工業中則作為高溫熱交換材料和脫氧劑。目前SiC最為人所熟知知的仍然是作為理想的高溫半導體材料。隨著SiC半導體技術的進一步發展，SiC元件的應用領域也越來越廣闊，成為國際上新材料、微電子和光電子領域研究的新熱點。

正因為如此，SiC具有的優良特性、誘人的應用前景，及巨大的市場潛力，也勢必將引來激烈的競爭。可以預料，它既是科學家爭先占領的高技術領域制高點，又是能帶來巨大商業利益的戰場。

SiC膜層材料具有很大的發展潛力和應用前景，在現代工業的高速發展和技術水準的高度要求下，SiC膜層材料必將以其獨特優勢，在工業領域占據重要位置。但同時也必須注意，SiC膜層材料在未來的時間若要取得更進一步發展，並開始進行量產的腳步，還需要進行更多的技術研究和應用實現。因此，進一步加強理論研究、降低成本、提高材料質量，並持續進行實踐探索，將是今後的工作重點。