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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2023年11月13日 星期一

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意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)電晶體閘極驅動器,新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸,同時降低物料清單成本,能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求。

意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能,具有卓越安全性和可靠性
意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能,具有卓越安全性和可靠性

此款單通道驅動器可連接最高1200V的電壓,而窄版STGAP2GSN則可連接高達1700V的電壓,閘極驅動電壓最高達15V。該驅動器能夠為所連接的GaN電晶體閘極灌入和源出最高3A的電流,即使在高運作頻率下也能精準控制功率電晶體的開關操作。

STGAP2GS跨越隔離閘的傳播延時極短,動態回應快速僅45ns。此外,在整個溫度範圍內,dV/dt 瞬變電壓耐量為±100V/ns,可防止電晶體閘極電流發生不必要的變化。STGAP2GS具備獨立的灌電流和源電流腳位,可輕鬆調整閘極驅動操作方式和性能。

STGAP2GS驅動器無需使用光學隔離離散元件,便於消費性電子、工業控制等產品設備採用高效、穩定的GaN技術。目標應用包括電腦伺服器電源、工廠自動化設備、馬達驅動器、太陽能發電、風力發電系統、家電、家用電風扇和無線充電器。

除了整合電流隔離功能外,新驅動器還內建系統保護功能,包括針對GaN技術優化的熱關斷和欠壓鎖定(UVLO),確保驅動器的可靠性和耐變性。

EVSTGAP2GS和EVSTGAP2GSN兩個展示板分別整合標準版STGAP2GS和窄版STGAP2GSN,以及ST 的SGT120R65AL 75mΩ、650V增強型GaN電晶體,協助使用者評估驅動器的功能。

採用 SO-8寬體封裝的STGAP2GS和 SO-8窄體封裝的STGAP2GSN現已上市。

關鍵字: SiC  GaN  寬能隙半導體  化合物半導體  ST(意法半導體ST(意法半導體
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