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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨 報導】   2024年04月19日 星期五

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近年來全球光儲系統(PV-ES)市場快速增長。光儲市場競爭加速,提高功率密度成為廠商得勝關鍵;英飛凌科技(Infineon)為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件,共同推動綠色能源發展。英飛凌將為麥田能源提供 CoolSiC MOSFET 1200 V 功率半導體元件, 搭配 EiceDRIVER閘極驅動器用於工業儲能應用。 同時,麥田能源的串列型光伏逆變器將使用英飛凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半導體元件。

麥田能源 H3PRO 30kW 儲能解決方案採用英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200 V 功率半導體元件,重新定義了100kW機型的整體設計。
麥田能源 H3PRO 30kW 儲能解決方案採用英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200 V 功率半導體元件,重新定義了100kW機型的整體設計。

英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200 V以及IGBT7 H7 1200 V 系列功率半導體元件採用最新的半導體技術以及貼合產業應用的設計理念,以期為儲能應用提升效率,提高功率密度。英飛凌資深副總裁暨工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝表示,英飛凌將繼續助力麥田能源在光儲應用實現更高的功率密度,以及更可靠的系統,從而推動低碳化進程。

英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V 憑藉其高功率密度的優越性能,可將損耗降低50%, 在不增加電池尺寸的情況下,額外提供約 2% 的能量,這對高性能、輕量且緊湊的儲能方案尤為有益。 麥田能源的H3PRO 15kW~30kW 儲能機型全系列使用英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200 V。得益於英飛凌產品優異的性能,H3PRO 機型能取得最高98.1%的效率及優異的電磁相容性能;使得麥田能源 H3PRO 機型在全球市場的銷量快速上升。

英飛凌的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V 產品系列,具有更低損耗,幫助提高逆變器整體效率和功率密度的優勢,尤其在大功率變流器項目上,電流處理能力在100A 以上的大電流封裝分立元件可以降低 IGBT 並聯數量,替代IGBT模組方案,進一步提高系統可靠性並降低成本;另外,H7系列產品的高品質性能,以及更強的抗宇宙射線能力等特性已經成為業界標竿。目前麥田能源在工業和商用領域的主力機型 R Series 75~110kW,正是使用 IGBT7 H7系列分立元件,重新定義了100kW 機型的整體設計方案,整機最高效率98.6%;得益於分立式封裝 IGBT7 H7 系列的高品質性能,避免了並管過程中均流等技術問題,從而大幅提高運行可靠性。

每個功率元件都需要一個驅動器—合適的驅動器讓設計事半功倍。英飛凌的產品可提供 500多種 EiceDRIVER 閘極驅動器,典型輸出電流從0.1 A到18 A。並具有全面的保護功能,包括快速短路保護(DESAT)、主動式米勒鉗位、直通短路保護、故障報告、關斷以及過流保護,適用於包括 CoolSiC 和 IGBT 在內的所有功率元件。

關鍵字: 功率半導體  Infineon(英飛凌麥田能源 
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