晶圓大廠台積電宣佈與摩托羅拉（Motorola）半導體部門所獨立之飛思卡爾半導體（Freescale Semiconducto）簽訂合作協議，雙方將共同研發新一代絕緣層上覆矽（silicon-on-insulator；SOI）晶片的前段製程技術，並以開發65奈米的CMOS製程為目標。而Freescale也同時授權台積電採用其90奈米絕緣層上覆矽技術製造產品。

據了解，台積電和Freescale各自在SOI技術領域有多年的發展經驗，Freescale自1980年代中期起迄今，已成功開發出三代的SOI技術，並於2001年開始生產相關產品，出貨量超過700萬顆，目前更在美國德州奧斯汀的Dan Noble Center建立90奈米CMOS SOI技術的平台，以生產新一代的高效能網路傳輸與運算產品。台積電則是自1990年代後期起從0.13微米製程開始自行開發SOI技術，並在SRAM電路元的開發上有所成績。

台積電表示，該公司與Freescale透過此項合作計畫共同開發65奈米SOI前段技術，將可加速相關產品的上市時程，並拓展此技術在不同市場的創新應用。同時雙方將各自針對其客戶不同的應用，發展相關後段金屬化的製造技術。

其中台積電將台灣的12吋晶圓廠為其客戶提供製造服務，用以生產講求快速及高效能的網路傳輸與運算等相關產品，此外也將開發低耗電的製程，以提供可攜式電子產品更多的應用選擇。Freescale則計劃將此項技術移轉到該公司與飛利浦（Philips）及意法半導體（ST）所合作的法國Crolles2 研發及試產基地。